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基底元素表面富集与扩散阻档层 总被引:1,自引:0,他引:1
根据An-Ag系统以及An-Cu系统的扩散系数计算,提出了扩散阻挡层模型。利用这个模型对Au-Ag系统进行有关实验,得利了较好的验证。 相似文献
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利用PHI-550型多功能电子谱仪研究了Cu-Be合金活化后的CuBe(O)样品。结果表明:(1)Cu-Be合金活化后,表面生成较为纯净的BeO层。氧化使得ESCA Be 1 S峰由111.6eV(电子结合能)移至113.6eV,使得Be KLL Auger峰由104eV(电子动能)移至约93eV;(2)Cu、Be组分在活化过程中均通过初始界面向外迁移,但二者机制有别;(3)BeO膜在电子束轰击下有解离发生。此外,利用不同能量电子的逃逸深度差,测算出800℃活化样品的BeO膜厚度约为24(?)。 相似文献
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在银基底上蒸镀80nm的金薄膜,然后用不同温度和时间间隔对这些样品进行热处理。再用PHI 550型俄歇电子能谱仪测出上述样品金膜中银的浓度剖面分布。根据银的浓度剖面分布及Hall公式算出Au-Ag系统的互扩散系数。由Leclaire公式计算出该系统的晶界扩散系数。从Arrhenius方程得出互扩散及晶界扩散激活能。并对实验和计算结果进行了讨论。 相似文献
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基底元素透过镀层于表面富集可使镀层失去作用和意义,造成元器件失效。常温下这种富集主要是基底元素通过缺陷和晶界扩散穿透镀层再行表面扩散而遍及表面的。镀件的表面吸附是其发生的最重要的诱导原因,已发展出新的工艺,可以明显地延缓基底元素透过镀层到表面的富集。电子能谱是研究这一问题的有力手段。 相似文献
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本文利用俄歇电子能谱(PHI-550)测得了经过不同时间间隔热处理的Au-Cu系统中铜在金薄膜内的浓度剖面。根据铜的浓度斟面及Hall公式,我们使用了两种方法——“中心梯度法”及“平坦区上升法”计算出Au-Cu系统的互扩散系数以及晶界扩散系数。本文还对上述计算结果进行了讨论。 相似文献
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本文依据LSS理论并考虑到反冲注入的特点,对反冲注入中入射离子的能量和镀层厚度提出如下选择原则: 1.入射离子的能量应对应于(dε/dρ)。~ε~1/~2普适曲线的极大值。2.镀层厚度应与入射离子在镀层中的投影射程大体一致。实验结巢(如表面硬度的测试,磨损试验,俄歇深度剖析)证明,上述选择原则是合理的。 相似文献