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假设老化是从亚稳态到稳态的变化,利用反应动力学理论对Sol-Gel法制备的CoMnNiMgO热敏元件的老化特性进行了研究,推导出老化公式△R/Ro=Σri[1-exp(-t/τi)]其中:τi=τoiexp(Ei/kT))。结果表明理论与实验能很好地一致,对于本文所研究的热敏元件,符合公式AR/Ro=r1[1-exp(-t/τ1)]+r2[1-exp(-t/τ2)],该式中:,r1=11.767×10-3;r2=20.6735×10-3;τ1=6.4578×10-3exp(6190.89/T);τ2=1.0461×10-6exp(8ll6.24/T)。 相似文献
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在90°C的温度环境下,采用水热化学沉积法制备Zn O纳米线薄膜,然后用扫描电子显微镜、透射光谱和X射线衍射等技术对所制备的纳米薄膜进行表征。结果表明,制备的纳米Zn O薄膜的光学带隙在3.274到3.347 e V之间。调节p H值可以控制膜的孔隙率和显微结构。SEM照片清楚地显示两层结构,且这两层的空隙率不同。XRD结果显示(002)取向的优先生长。针对纳米结构的Zn O薄膜建立一个完整的光学模型,包括Bruggeman有效介质近似、粗糙表面的光散射和O’Leary-Johnson-Lim带间吸收模型。利用此光学模型,拟合实验测量的纳米结构Zn O薄膜的透射光谱,拟合结果同实验结果具有很高的一致性。 相似文献
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采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 相似文献
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