DC/DC变换电路的仿真研究

该文阐述了直流斩波电路(Buck电路和Cuk电路)的电路结构和工作原理,并利用Multisim进行了电路的仿真。首先运Multisim画出Buck电路和Cuk电路的仿真原理图,并设置了采集输出电压的电压表和电流表和示波器,然后分别分析电力MOSFET在导通和关闭时的电路工作状态,电流流经路径,以此推导Buck电路和Cuk电路的输入电压与输出电压关系,要实现降压,Buck电路的占空比α调节范围0～1之间,Cuk电路的占空比α调节范围0～50%。然后使用画出的原理图进行仿真电路的工作波形,使用24V的直流输入电压,得到12V的直流输出电压,Buck电路的占空比设置为50%,通过仿真结果分析得出Buck电路的输出电压是11,768V,Cuk电路占空比33.3%,输出电压为-12.2V,与分析的输出电压极性与输出电压极性相反,数值是正确的,且要求的误差小于5%。通过调节Buck电路和Cuk电路的占空比可以将输入直流电压斩波变换为输出电压不等的电压值。     

一种具有高能量分辨率Al2O3钝化结区的PIN探测器

提出了一种Al₂O₃钝化结区的PIN探测器,与传统PIN探测器不同的是,在器件正面的pn结和背面的高低结处沉积了10 nm厚的Al₂O₃薄膜。经TCAD仿真结果表明,该探测器具有更低的漏电流和保护环处的电子电流密度,能对高能粒子射线入射产生良好的响应。设计了两种探测器的制备步骤并制备了器件,通过薄膜少子寿命的表征、器件的暗态I-V测试和²⁴¹Am元素能谱测试对其进行了评估。测试结果表明,与传统的PIN探测器相比,Al₂O₃钝化结区的PIN探测器的少子寿命提升至1 061μs,漏电流降低至5 nA,能量分辨率提升至521 eV,表现出更好的探测性能。