GaN材料的横向外延过生长(LEO)及其特性研究

对用LEO技术生长GaN材料的选择生长和横向生长速率进行了实验研究。结果表明，作为LEO生长基板的GaN层的表面质量是实现选择生长的关键，而图形方向对横向生长速率与纵向生长速率之比（L／V）也有重要的影响。通过选择合适的工艺条件，实现了GaN材料的LEO外延生长，所得样品的X射线衍射峰宽比用常规MOCVD法生长的样品减小了1／3。     

CAD技术在薄膜多层混合电路中的应用

本文根据薄膜多层混合电路的特点，概述了计算机辅助设计（ＣＡＤ）技术在薄膜多层混合电路中的应用，着重讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助电路分析（ＣＡＡ）和计算机辅助布图设计，并指出了存在问题和今后的发展趋势。     

薄膜多层混合电路图设计软件的开发和应用

本文根据薄膜多层混合电路的特点，对印制板电路布图设计软件ＰＲＯＴＥＬ进行二次开发，研制出适于薄膜多层混合电路布图设计的软件ＰＲＯＴＥＬ－ＳＵＮ，应用软件对控制信号发生器实施薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％。     

计算机自动控制的热壁低压MOCVD系统的建立及其应用

本文根据金属有机物化学气相沉积系统的原理和特点,建立了计算机自动控制的热壁低压ＭＯＣＶＤ系统。     

MOCVD源物质Ti(OC_4H_9)_4的重复性研究

本文讨论了ＭＯＣＶＤ源物质Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性．首次实验发现了Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性问题．研究结果表明,热学性质的变化是Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４的重复性发生变化的根本原因．     

TiO2纳米粉的晶体结构及其粒度分布

采用热壁低压ＭＯＣＶＤ方法制备出了ＴｉＯ２纳米粉末。采用Ｒａｍａｎ散射、Ｘ射线衍射和透射电子显微镜等技术研究了载气流量稳定性、沉积温度和载气流量和载气影响规律。研究结果表明，当沉积温度为６００℃－１０００℃时，ＴｉＯ２粉末均为锐钛矿结构，载气流量不稳定容易使ＴｉＯ２粉末均为锐钛结构，载气流量不稳定容量使ＴｉＯ２纳米粉末的平均颗粒尺寸减小，可以使粒度布更加均匀。     

薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计

根据薄膜多层混合电路的特点，以控制信号发生器为例，讨论了薄膜多层混合电路的计算机辅助布图设计。在２６ｍｍ×３６ｍｍ的陶瓷基片上，完成了薄膜四层布线的布图设计，布通率达到１００％，寄生电感和寄生电容分别为５２．５μＨ和２．３２５ｆＦ。     

MOCVD自动控制电路的设计及其应用

本文设计了ＭＯＣＶＤ自动控制电路,该电路既能手动控制又能采用计算机进行自动控制,将该电路应用于ＭＯＣＶＤ系统,成功制备了ＴｉＯ２纳米级超细粉,在５００℃－１０００℃范围内,超细粉的平均晶粒尺寸为７．４～１５．２ｎｍ。