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Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的制备、结构及性能研究 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了一种以乙二醇为稳定剂的新的BST前驱液,用sol-gel法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上成功地制备出具有优良电学性能的Ba0.7Sr0.3 TiO3薄膜.乙二醇的加入有效地增加了前驱液的稳定性,并降低薄膜的结晶温度.利用XRD、DTA等技术分析了凝胶热处理过程中相变化情况及薄膜厚度与成相的关系.厚度 200nm,O2气氛中 700℃处理 15min后的 BST薄膜具有良好的介电性能,100kHz时介电常数ε>400,介电损耗 D<0.02;P—E电滞回线说明薄膜具有良好的铁电性能,剩余极化只约为1.4μC/cm2,矫顽场强 Ec约为 48kV/cm. 相似文献
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在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上,用脉冲激光沉积工艺分别制备出了(110)外延取向生长的(Ba0.65Sr0.35)TiO3/CaRuO3(BST/CRO)异质结构薄膜;BST/CRO异质结构薄膜由纳米晶团簇组成,最大的团簇晶粒达500 nm,平均晶粒尺寸在60~80 nm,薄膜厚度为650 nm.BST/CRO异质结薄膜均为表面平滑和致密结构.BST/CRO异质结薄膜的介电常数和介电调谐率分别高达851和78.1%.与纯BST薄膜比较,用CRO作电极,增益介电常数与介电调谐率. 相似文献
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以金属醇盐和无机盐为原料,用溶胶-凝胶法合成了CaCu3Ti4O12干凝胶,进一步将干凝胶磨粉后在不同的温度煅烧不同的时间,得到相应的粉体样品.X射线衍射结果显示,75O℃煅烧2h后的样品呈明显的CaCu3Ti4O12(CCTO)类钙钛矿晶相,表明样品经历非晶相向类钙钛矿晶相转化过程.红外和拉曼谱分析进一步证实了X射线衍射结果.热分析研究结果也表明,在不到300℃,有机物燃烧完毕,随着温度的继续升高,到750℃样品开始向类钙钛矿相转化,直到1000℃完全生成了类钙钛矿晶相,经750、850、1000℃煅烧的样品其Raman光谱大致相同。 相似文献
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反铁电材料因具有独特的双电滞回线特征而受到了学术界广泛关注。目前反铁电材料相关研究的深入性和全面性不足,仍阻碍了其在更多领域的应用。因此,进一步研究和开发反铁电材料,对于推动科技的发展和社会的进步具有重要意义。本文综述了反铁电材料铪酸铅的研究现状,发展趋势及应用前景。详细介绍了铪酸铅基材料的基本储能性能参数、晶体结构、相变机制、离子掺杂改性以及制备工艺等。研究表明:铪酸铅反铁电材料具有快速充放电,极高的功率密度和能量密度以及杰出的电卡效应,这在储能和固态制冷等领域具有广泛的应用前景。 相似文献
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对涤纶(PET)和玻璃的时域介电谱进行了研究。实验结果表明:在涤纶的微分时域介电谱中,随着温度的升高,时域谱线发生分裂且慢极化响应的τ值也增大;玻璃的时域介电谱出现奇异。束缚空间电荷的自由扩散可解释实验结果。 相似文献
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以三水醋酸铅、醋酸锶、钛酸丁酯为原料,乙二醇甲醚、去离子水、乙酰丙酮做溶剂。用溶胶-凝胶法制备(Pb0.50Sr0.50)TiO3 (PST)前驱体溶液,通过旋涂工艺在石英玻璃基片上沉积 PST 薄膜。薄膜经 650 至 800 ℃退火 30 min,升温速率为 3℃/min。不同温度晶化的 PST 薄膜用 X 射线衍射测量其晶体结构,用原子力显微镜观测其表面形貌。不同温度退火薄膜的光学透射谱用双光束紫外-可见光分光光度计测量。薄膜的吸收边,即带隙能可以根据直接跃迁估计。650、700、 750 和 800℃退火的薄膜样品的直接带隙能分别为 3.74、3.75、3.76 和 3.75 eV。 相似文献
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用脉冲激光沉积工艺在半导体(001)SrTiO3:ω(Nb)=1.0%单晶基片上,外延生长出Ba(Zr0.2Ti0.8)O3(简称BZT)介电薄膜.在650℃原位退火10min,薄膜为(001)外延生长的晶粒.薄膜的晶化特征与表面形貌用薄膜X-ray衍射仪和原子力显微镜测量完成.BZT薄膜(002)峰的半峰宽只有0.72°,说明薄膜晶化良好;薄膜的平均晶粒为90nm,表面均方根粗糙度为4.3nm,说明薄膜表面平整.在室温、100kHz和500kV/cm条件下,BZT的最大介电常数和调谐百分率分别达到317和65%. 相似文献