微型磁阻元件中磁畴活动和畴壁态极性转变的研究

采用Bitter粉纹技术详细观察和研究了微型磁阻元件在磁化和反磁化过程中的磁畴结构，结果表明Barkhausen噪声来源于磁化和反磁化过程中的磁畴活动和畴壁态极性转变。磁阻元件中的曲折状畴的产生、强化和畴壁合并及畴壁态极性转变是不可逆过程，是磁阻元件输出信号噪声的主要根源。实验发现，在磁阻元件和引线的连接处存在着磁畴结构，且这一过程是不可逆的。目前尚未见过报道。这必然也是磁阻元件输出信号噪声的来源之一。     

LIGA技术X光深层光刻工艺研究

通过在北京高有所３Ｗ１束线上进行的Ｘ光深层光刻工艺研究,获得了测壁光滑、陡直,厚度达１００μｍ,深度比达２０的光刻胶和金属微结构,表明该光束线适应于ＬＩＧＡ技术的研究。     

离子束溅射Ti和Ni薄膜的初生过程

用ＡＥＳ方法原位研究了离子束溅射Ｔｉ和Ｎｉ元素成膜的初生模式，它们在单晶Ｓｉ上以层状ＦＭ模式生长，其成膜速率与其溅射产额有关。     

反向代理技术在校园网中的应用

如何将校园网中的内部Web信息安全有效地对外发布是摆在网络管理人员面前的现实问题。本文对当前常用代理技术作了详细分析．指出反向代理技术是解决这个问题的最佳途径。着重介绍了在校园网中通过ISA Server在Windows操作系统下实现反向代理的方法和步骤．允许外网用户通过反向代理访问内网的Web服务器并增强了Web服务器的安全性。     

有序介孔炭/SiO2的原位合成及其染料吸附性能

利用P123为模版剂并在扩孔剂1,3,5-三甲苯与P123的最佳投入质量比为0.6∶1时合成了有序SBA-15原粉,通过高温处理制备了比表面积为615m2/g、孔径为11.9nm的有序介孔炭/SiO2复合材料。通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、比表面及孔隙度分析仪对样品进行了表征,并在最佳条件下制备出的有序介孔复合材料用于亚甲基蓝的吸附实验。结果表明,随着亚甲基蓝溶液初始质量浓度的增加,吸附剂的吸附量呈现线形增长,当达到500mg/L时,曲线增长趋于平缓,达到饱和状态;当pH为10时,样品对亚甲基蓝的吸附效果最佳。     

微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程

观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.     

直径1mm电磁型双定子微马达的结构特点及稀土永磁在其中的应用

上海交通大学在研制成　２ｍｍ电磁型微马达后,又在１９９９年成功地研制了 １ｍｍ电磁型双定子微马达。本文介绍了　１ｍｍ微马达的结构特点,对它的稀土永磁转子及 气隙磁场进行了分析讨论,还介绍了它的应用发展。     

基于功能需求的软件产品族构件化设计研究

以软件产品族为背景,以改善软件开发的效率和效果为目标,对面向软件产品族的软件开发与定制过程进行了研究;提出一种根据基于功能需求的功能相关性量化准则,根据软件系统功能元之间的相关程度从不相关到紧密依次分为5个等级,依次定义量化值为:0.1,0.3,0.5,0.7和0.9,进而对功能元两两之间的相关性根据功能相关性量化准则构建相关性矩阵,并运用聚类算法获得构件划分结果,实现构件提取;并分析了软件产品族构件化集成配置机制,提出了基于功能构件-业务构件映射机制的框架结构;最后结合证书管理信息系统进行实例分析.     

微细条形NiFe薄膜元件在磁化和反磁化过程中磁畴结构的变迁过程

详细观察了长条形ＮｉＦｅ薄膜元件（宽１２０μｍ,厚４０ｎｍ）沿难轴方向（长方向）磁化和反磁化过程中磁畴结构变迁的全过程。观察表明,在磁化过程中,磁化转动和不可逆畴壁位移同时存在;在反磁化过程中,畴壁合并、封闭畴转变和畴壁极性转变是最主要的不可逆因素,也是造成元件输出讯号中Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ噪声的主要物理根源。