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研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0 .2 2 Ga0 .78N/GaN(i AlGaN/GaN)异质结构之间的欧姆接触性质。在退火温度低于 70 0℃时 ,两种接触样品上都不能得到欧姆接触。随着退火温度的升高 ,85 0℃快速退火后 ,在Ti/Al/Ni/Au接触上获得了 1.2 6×10 - 6 Ω·cm2 的比接触电阻率 ,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了 1.97× 10 - 5Ω·cm2 的比接触电阻率。研究结果表明 ,金属与半导体接触界面和Al0 .2 2 Ga0 .78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用 ,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程。对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释。 相似文献
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通过对ZnxCd1-xTe-ZnTe多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ZnCdTe-ZnTe多量子阱样品受激发射过程都是n=1重空穴激子参与的一系列过程,但在Zn0.67Cd0.33Te-ZnTe中发现了激子-激子散射的受激发射过程,而在Zn0.78Cd0.22Te-ZnTe中没有发现这一受激发射的激子过程。x=0.67的样品中具有较高的局域化激子密度,其受激发射具有较高的阈值。 相似文献
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本文报导了ZnCdTe-ZnTe多量子阱的受激发射性质,通过改变激光发光强度,并在不同的方向接收样品的光发射,将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论,认为该材料的受激发射过程就是n=1重空穴激子参与的一系列过程。 相似文献
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基于轨迹线性化控制(TLC)理论提出了一种全驱动平流层飞艇轨迹跟踪控制设计的新方法.该方法由期望姿态生成、运动学控制和动力学控制3部分组成.首先利用期望轨迹的Frenet标架构造期望的艇体坐标系,导出期望姿态的计算公式;然后将系统运动学部分按照移动和转动分解,动力学部分按纵向与横向分解,将整个系统划分为4个回路,并分别用TLC理论进行控制设计,避免了设计时对全系统求逆的困难;最后给出了控制方法的计算步骤和平流层飞艇跟踪典型轨迹的仿真结果,结果验证了所提出方法的可行性. 相似文献
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通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质。1.4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品rq的大小为0.17ps。结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g‘‘。用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g‘‘增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。 相似文献
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肖特基C-V法研究Al_xGa_(1-x)N/GaN异质结界面二维电子气 总被引:2,自引:2,他引:0
通过对 Pt/ Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N肖特基二极管的 C- V测量 ,研究分析了 Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 .测量结果表明 ,Al0 .2 2 Ga0 .78N/ Ga N异质结界面 2 DEG浓度峰值对应的深度在界面以下 1.3nm处 ,2 DEG分布峰的半高宽为 2 .3nm ,2 DEG面密度为 6 .5× 10 1 2 cm- 2 .与 Alx Ga1 - x As/ Ga As异质结相比 ,其 2 DEG面密度要高一个数量级 ,而空间分布则要窄一个数量级 .这主要归结于 Alx Ga1 - x N层中~ MV / cm量级的压电极化电场和自发极化电场对 Alx Ga1 - x N/ Ga N异质结能带的调制和 Alx Ga1 - 相似文献
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分析英汉关系从句在形式和功能上的差异,探究中国学生在关系从句习得过程中对非限定关系从句的理解和产出,特别是句子性关系从句、特殊功能关系从句如兼有状语职能和并列职能关系从句的理解和产出。 相似文献
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金属/n型AlGaN欧姆接触 总被引:8,自引:5,他引:3
用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射线衍射分析,Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面固相反应得出在500℃以上退火过程中,AlGaN层中N原子向外扩散,在AlGaN表面附近形成n型重掺杂层,导致欧姆接触电阻率下降;随退火温度的升高,N原子外扩散加剧,到800℃以上退火在Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面形成Ti2N相,导致欧姆接触电阻率进一步下降. 相似文献
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