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1.
基于一个典型的013 μm绝缘体上硅,射频开关电路工艺流程,分析了离子掺杂工艺流程对射频开关导通电阻Ron和关断电容Coff的影响。通过N型MOS管的浅掺杂注入后热退火温度和N型MOS管浅掺杂能量的分批实验,证实了退火温度可影响射频开关的导通电阻和关断电容。进一步实验结果显示,浅掺杂注入的砷(As)和磷(P)注入的剂量是主导因素,各自对导通电阻和关断电容值的影响均为线性且趋势相反,为基于013 μm SOI的射频开关性能的优化提供了依据。  相似文献   
2.
车载燃料电池堆的结构布置对整车特性具有重要影响,运用Matlab/Simulink仿真工具,在不同的结构布置和路面激励下对半车模型进行仿真试验。通过时域和频域分析得出了结构布置对整车特性的影响结果,进而为车载燃料电池的结构布置提供设计参考。  相似文献   
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