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运用半导体二维数值模拟软件sentaurus TCAD,对基于p型衬底制作的横向抗晕内线转移CCD的弥散特性进行了数值模拟研究,建立了sentaurus TCAD软件模拟横向抗晕内线转移CCD器件仿真模型,对影响器件弥散特性的光敏区n型区域、垂直CCD p阱进行了模拟分析.结果表明,光敏区n型区域注入能量控制在450~550 keV,垂直CCD p阱注入能量控制在200~600 keV,剂量控制在4.0×1012~8.0×1012 cm-2,器件弥散特性最佳. 相似文献
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