排序方式: 共有22条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文描述了含CF_4的等离子体低温300~600℃氧化与氮化工艺。对CF_4含量与膜厚的关系作了探索。当CF_4含量较少(CF_4/O_2<1/400)时,有利于氧化反应,且在这个区域中,在相同条件下膜厚与CF_4含量成正比。当CF_4含量较大时,反应转为等离子体刻蚀占优势,随着CF_4含量增大,膜不断减薄。研究了增速区域的200~500(?)氧化膜生长工艺,C—V测试表明,膜质优于不含CF_4的等离子体生长的膜。经AES分析,膜中不存在C,F峰。等离子体氮化亦因加入少许CF_4而更易进行。并探讨了膜的生长机理。 相似文献
2.
<正> 一、 引言 低温能避免高温引起的杂质再分布,杂质表面耗尽,“鸟嘴”结构形成,以及硅片翘曲和热诱生缺陷等,保证高密度IC的实现。硅的低温氧化,是VLSI制作中尚未解决的重要课题,因此引起了人们很大关注。本工作采用低温等离子体技术,研究了900℃以下硅的等离子体氧化,探讨了膜的生长机理和规律,膜的性质与工艺条件的关系。 相似文献
3.
4.
5.
本文首先从色度学角度提出对色敏器件的要求,接着指出现有色敏器件内不适合测物体色的原因,最后提出一种自分光式色敏器件的理论。该器件采用不同厚度的硅片做滤光片,再利用两只性能相近的色敏管输出的差值作信号,这样就可获得区域响应的输出,该输出具有分光性质。该器件的最大优点是可以用程控放大器或微机修正,从而获得精确的物体色的有关参数,而无需附加分光系统。 相似文献
6.
本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度. 相似文献
7.
本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。 相似文献
8.
9.
10.