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海底管道在投产前一般会经历输运过程和建造过程,期间饱受空气腐蚀和海水腐蚀,管道内壁极易形成锈层。本文重点讨论大气腐蚀初期薄锈层和海水腐蚀薄锈层的存在会如何影响缓蚀剂的作用效果。首先通过去离子水预浸泡和模拟海水预浸泡的方法,模拟空气腐蚀和海水腐蚀过程,然后再将带有锈层的试样进行模拟管道运行工况下的高温高压CO_2腐蚀实验,评价缓蚀剂的缓蚀效率,研究锈层对缓蚀剂效果的影响。结论显示:大气初期薄锈层及其腐蚀产物,不会显著影响缓蚀剂效果,而海水腐蚀锈层使得缓蚀剂效果明显降低。上述结论对于缓蚀剂的现场有效地应用具有一定的指导意义。 相似文献
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以镍基高温合金GH907为基体,通过低压等离子喷涂和超音速火焰喷涂技术制备了NiCoCrA-lY涂层和NiCr涂层,并对样品进行了真空热处理.对热处理前后的涂层进行常温中性盐雾腐蚀及电化学性能的研究表明:热处理前后NiCoCrAlY涂层的抗腐蚀性能均优于NiCr涂层,热处理后NiCoCrAlY涂层和NiCr涂层的腐蚀等级都有所提高,出现腐蚀的时间推迟. 相似文献
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本实验研究金蝉花多糖的抗氧化活性,并对其纯化组分进行结构分析。采用热水浸提、不同浓度乙醇分级沉淀的方法从金蝉花中提取多糖,分别获得50%醇沉金蝉花多糖(50% polysaccharides from Cordyceps cicadas,CP50)和80%醇沉金蝉花多糖(CP80),并检测两者的体外抗氧化活性。结果表明:CP50较CP80表现出较强的清除自由基的能力,且具有一定的还原能力和总抗氧化能力。CP50进一步经二乙氨乙基(diethylaminoethyl,DEAE)纤维素-52和Sephadex G-100凝胶柱分离纯化,得到活性多糖CPA-1和CPB-1。经紫外扫描光谱法和高效凝胶过滤色谱法鉴定CPA-1和CPB-1为均一多糖;单糖组成分析显示两个组分中均含有葡萄糖、甘露糖和半乳糖,其物质的量比分别为:1∶0.48∶0.52和1∶0.14∶0.114。红外光谱(infrared spectroscopy,IR)及刚果红实验发现,CPA-1和CPB-1具有典型的多糖红外吸收,且含有三股螺旋分子结构。 相似文献
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采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效应及瞬态大剂量辐射的实验数据,与常规VDMOSFET相比获得了良好的抗辐射性能.对研制的200V VDMNOSFET,在栅偏压+10V,γ总剂量为1Mrad(Si)时,其阈值电压仅漂移了-0.5V,跨导下降了10%.在γ瞬态剂量率达1×1012rad(Si)/s时,器件未发生烧毁失效.实验结果证明Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区显著地改善了功率MOS器件的抗电离辐射及抗辐射烧毁能力. 相似文献
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某20钢燃气钢管埋地使用不到一年的时间里先后多次发生腐蚀穿孔失效,通过宏观检验、化学成分分析、金相检验、扫描电镜分析等方法对钢管腐蚀穿孔原因进行了分析。结果表明:燃气钢管穿孔的孔洞由外向内扩展,其外观形貌具有杂散电流腐蚀的特征,同时由于钢管内部存在大量的非金属夹杂物,引起内壁点腐蚀的发生,出现大量腐蚀坑;燃气钢管的腐蚀穿孔主要是由于土壤中的杂散电流造成的。 相似文献
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介绍了一种基于半导体内部的等离子体波理论而设计制造的全固态高功率半导体开关器件--快速离化器件(FID),阐述了FID器件的工作机理.采用传统的电力电子器件的制造工艺技术,研制出了新型亚纳秒快速离化器件.FID器件采用无感裸芯片封装技术,寄生参数小.单个FID器件工作电压>2 kV,导通时间<1 ns,工作电流高迭10 kA,抖动<20 ps,di/dt超过100 kA/μs,重复频率400 kHz.具有极易串并联、导通触发脉冲可同步产生、工作特性高度稳定、体积小、重量轻等优点,FID可与DSRD组合应用,当采用MARX电路连接时,可以获得几十千伏以上的高压快速脉冲.FID器件脉冲发生器具有广阔的应用前景. 相似文献
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