分子动力学模拟及其在微晶玻璃中的应用综述

随着计算机性能的显著提高,应用分子动力学模拟研究微晶玻璃体系,有助于深入研究微晶玻璃的性能和推动玻璃产业的发展.文章概述了分子动力学的发展历史、基本原理,阐述了分子动力学中的有限差分算法和势函数,综述了近年来基于分子动力学模拟获得的关于微观网络结构和微晶玻璃研究中的成果,并展望了微晶玻璃研究过程中分子动力学模拟的发展方...     

一种空调交流接触器用AgN确虫点材料的研究

介绍了空调交流接触器用AgNi触点材料,比较了不同Ni含量和不同类型添加物的AgNi触点材料的力学物理性能、烧损量、燃弧能量以及熔焊力等。结果表明,对于额定电流大、电寿命要求高的空调接触器用AgNi触点材料,其最佳Ni含量为15％左右;添加微量脆性物质能改善AgNi触点材料的电性能。     

添加B对LaFe11.5Si1.5快淬带残余α-Fe相以及磁热效应的影响

通过微观分析研究添加B对LaFe_(11.5)Si_(1.5)快淬带中α-Fe杂相的影响,并探讨LaFe_(11.5)Si_(1.5)B_x (x=0.5,0.7,1.0)化合物的磁相变和磁热效应.与LaFe_(11.5)Si_(1.5)比较, 加入B后快淬薄带的显微组织显著细化, 在较高B含量的快淬薄带中还得到了非晶态结构.经1000 ℃回火2～10 h后,快淬试样均结晶为立方NaZn_(13)型的La(Fe,Si)_(13)化合物结构.含B快淬薄带经过较短时间的热处理就能得到单相结构,而且残留的α-Fe含量显著降低.磁性能测试表明,随着B含量的增大,LaFe_(11.5)Si_(1.5)B_x (x=0.5,0.7,1.0)化合物的居里温度略有升高;当B含量较低时,化合物具有一级磁相变特征并表现出与LaFe_(11.5)Si_(1.5)化合物相同的巨大磁热效应.     

复杂背景下设备防篡改技术的研究

当今社会,科学技术飞速发展,传统的设备防篡改技术面临巨大挑战。为此,本文提出一种复杂背景下基于图像分割和识别的设备防篡改方法。利用涂有红外涂料的标识条,以检测设备是否被篡改。在MATLAB下进行仿真分析,通过图像预处理、图像分割、图像数学形态学处理等一系列操作,最终得到正确标识条的图像,证明本文方法的可行性,并对基于图像分割和识别的防篡改技术前景进行了展望。     

氩霜竞争吸附实验平台的设计与验证

为了研究氩霜对氦气与氢气的混合气体竞争吸附的特性,设计并搭建了一套低温实验台,该实验台主要包括液氦恒温器、吸附室和气体缓冲室,能实现氩霜在低温下对纯氦气、纯氢气以及两种气体的混合物的吸附特性的研究。从理论上分析了液氦恒温器的热力性能,预冷恒温器低温部分所需液氦为35.3 L,系统漏热为7.109 2 W,稳定运行时液氦耗量为9.8 L/h。为了验证本实验台的可信度,以氦气为吸附质气体,研究了氩霜在液氦温度下对其吸附的吸附特性,通过与文献实验数据的对比,表明该实验台在低温下研究氩霜对不同气体的吸附研究是可信的。     

气化炉渣—赤泥复合微晶玻璃的制备及性能

首次以固体废弃物气化炉渣和赤泥复合制备微晶玻璃,根据气化炉渣和赤泥原料的成分及微晶玻璃的配比要求,将气化炉渣和赤泥总含量固定为95％,添加剂含量为5％.其中,气化炉渣添加量分别为70％、65％、60％、55％和50％,并对实验制得微晶玻璃样品进行DSC、XRD和SEM测试分析.结果表明:气化炉渣—赤泥微晶玻璃的主晶相为...     

BEPC-Ⅱ超导磁体侧多通道低温传输线的制作及性能测试

超导磁体侧低温传输线是国家大科学工程北京正负电子对撞机重大改造(BEPC-Ⅱ)中低温系统关键部件之一.低温传输线的效率高低直接关系到单台500 W氦低温制冷机能否对3台超导磁体同时降温并平稳运行.结合低温系统建设当中的实际情况,详细阐述了超导磁体侧多通道低温传输线的制作、安装及测试.通过对多种不同实验数据的分析,结合部分低温部件的性能参数,较为准确地推算出整个低温传输线和单位长度低温传输线的热负荷.     

利用多效膜蒸馏技术浓缩硫酸和磷酸水溶液

利用自制中空纤维气隙式多效膜蒸馏组件进行了多效膜蒸馏过程浓缩稀硫酸和磷酸溶液的研究, 考察了膜入口温度、料液进口浓度和料液流量对渗透通量和造水比的影响。结果表明,膜入口温度升高时渗透通量和造水比增加;料液流量增加,渗透通量增加,而造水比随之降低;料液酸浓度增加,渗透通量和造水比均随之下降,且硫酸的影响更为显著。实验过程中渗透通量和造水比最高可达5.3 L/(m²·h)和11.5。在适当的操作条件下,该过程可将质量分数(下同)为2%的稀硫酸或稀磷酸溶液浓缩至40%以上,且渗透液最大的电导率仍小于200 μS/cm。以10%的硫酸溶液为料液,利用2个不同的膜组件进行了持续30 d的多效膜蒸馏过程稳定性实验研究,实验期间所用膜组件操作性能没有明显下降,没有观察到膜渗漏现象。     

MOCVD制备GaAs/AlGaAs异质结和异质结双极晶体管(HBT)的研究

本文应用MOCVD技术制备出高质量的GaAs,AlGaAs外延材料以及GaAs/AlGaAs异质结和多量子阱结构.首次成功地用该技术生长了微波HBT全结构材料,并获得了较高性能的器件结果:300K时直流增益(β)为15～40,77K时为60,截止频率大于10GHz,最高振荡频率为5.5GHz.     

AgMo电触头材料的制备及性能研究

本文分别采用液相烧结和熔渗工艺制备了AgMo50电接触材料,主要研究了两种制备工艺对材料的电阻率及其它物理性能的影响。采用Archimede法测量样品的密度,用双电桥法测量样品的电阻率,对材料的显微组织进行了分析。研究结果表明,采用熔渗工艺制备的AgMo50电接触材料的综合性能均要优于液相烧结制备的材料性能。