LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2. 32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制.     

LPCVD氮化硅薄膜的室温可见光发射

在4.66eV的激光激发下,在室温下LPCVD氮化硅薄膜可发射高强度可见光,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.90eV的6个PL峰,建立了可见光发射的能隙态模型,讨论了发光机制     

Si~+注入SiO_2薄膜的三个PL峰及其受RTA的影响

将高剂量(1×1017/cm2)Si+注入热氧化SiO2薄膜,在～5.0eV(265nm)激光的激发下,观测到2.97eV、2.32eV和1.73eV的三个光致发光(PL)峰,经快速热退火(RTA)处理后,其PL谱峰形发生变化.本文对PL峰的产生与变化机制进行了初步探讨     

沉积温度对ａ-SiNx∶H薄膜PL峰的影响

在3.75eV的激光激发下，利用LPCVD在800～950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中，在室温下观测到1～5个高强度可见荧光的发射．通过TEM，IR，XPS等的分析研究表明，文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的ａ-SiNx∶H薄膜．PL峰数目及其各峰的强弱与生成薄膜过程中反应气体SiH2Cl2的分解速率、沉积温度、SiNx生长过程有关，还与薄膜中纳米硅的团簇密度、尺寸大小以及各种不同类型的缺陷态种类和密度有十分重要的关系．     

沉积温度对a-SiN_x∶H薄膜PL峰的影响

在3.75eV的激光激发下,利用LPCVD在800~950℃不同温度下沉积富硅的SiNx薄膜中,在室温下观测到1~5个高强度可见荧光的发射.通过TEM,IR,XPS等的分析研究表明,文中所获样品为纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜.PL峰数目及其各峰的强弱与生成薄膜过程中反应气体SiH2Cl2的分解速率、沉积温度、SiNx生长过程有关,还与薄膜中纳米硅的团簇密度、尺寸大小以及各种不同类型的缺陷态种类和密度有十分重要的关系.     

钧瓷铜红釉呈色机制的初步研究

利用同步辐射光源,对一枚带红釉的元代钧瓷表面进行了无损的X射线吸收精细结构分析(SR-XAFS).将釉中铜的相关标准谱作线性拟合,并与样品的近边图谱作比较分析,结果表明,红釉层内,铜的存在状况为:37%的单价铜和63%的零价铜,零价铜主要以金属团簇或多聚体形式存在其中.而在红釉表面,则主要为单价铜.对延展边的处理结果表明,单价铜孤立地镶嵌在玻璃体网格结构中.铜的这些特殊存在形式导致了钧釉独特的光学性质.另外,采用同步辐射X射线荧光光谱(SRXFS)分析技术,无损测定了釉中元素的分布特征,最后,尝试对这些复杂结构的形成机理进行了探讨.     

利用I(M)/I(L)改进薄膜定量分析的电离截面

1975年以来在分析电镜中广泛使用比例因子(Cliff-Lorimer因子)法进行薄试样X射线能谱定量分析,但迄今为止实验测定的K—K系比例因子仅二十几个,K—L系比例因子仅10个。70年代末以来利用X射线物理公式,计算了比例因子,在商品仪器上发展了无标样定量分析。但所使用的K—L或L—M系的误差常达20—50％。我们认为这样大的误差来源于电离截面Q。为进一步通过实验I(M)/I(L)比值确定对于M—L合适的Q公式。我们在分析透射电子显微镜镜上用EDAX9100测量纯元素H_0和纯稀土元素Yb、Er、Dy、Gd、Sm等的实验I(M)/I (L)强度比位。本文测重的实验值是在入射电压75、100、150、175、200kV下,样品倾角为0°,X射线出射角为68°进行测量的。为提高信噪比,除了采     

C+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C+注入,能量为30kev,剂量为2×1017 cm-2.对C+注入的SiNx薄膜在800℃的温度下,进行2h的常规炉退火处理.通过XPS,AES的测量得到,经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构.用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析,得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响,认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系.     

Si3N4—TiN的氧化行为和显微结构的研究

近年来以高温结构陶瓷Si_3N_4为基础,以TiN,TiC或TiB_2为添加物的电陶瓷材料的开发和研究,作为发热体、点火器、引爆装置等复杂机器的主要部件而得到了广泛的特殊应用。本工作采用TiN作为添加物,分别研究了AY—20TiN,AY—30TiN,AY—40TiN材料在高温下的氧化行为、氧化机理及其与显微结构的关系。我们将切割、抛磨、清洗后的10×10×10mm的三种样品在空气中从600℃—1350℃在不同温度下保温30h,其重量变化用一分x率为2×10~(-6)g的热天平记录下来。实验结果表明这三种材料在1350℃以下都是服从(w/s)~2=KT的抛物线型规律(W为氧化增     

C+注入a-SiNx:H的原子化学键合的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行C 注入,能量为30kev,剂量为2×1017 cm-2.对C 注入的SiNx薄膜在800℃的温度下,进行2h的常规炉退火处理.通过XPS,AES的测量得到,经800℃高温退火处理后的薄膜形成了部分SiCxNy结构.用喇曼、XPS等分析手段对薄膜结构及成分进行了测量与分析,得到不同退火温度对离子注入形成SiCN薄膜结构与成分的影响,认为高温退火后薄膜中硅含量与SiCxNy薄膜的形成有重要的关系.