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农网改造工作结束后,低压线损由原来的电力用户承担改由供电企业承担,低压线损管理工作也显得越来越重要。因此,必须重新制定线损管理制度和考核办法,加大管理力度,努力降低低压线损率,提高供电企业的经济效益。为了搞好低压线损管理工作,山东电力昌邑市供电公司对低压线损实行了包干考核奖惩,将全年线损以考核指标的形式按季度分站、分线、分片、分台区进行分解下达,并逐季度考核奖惩兑现。 相似文献
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用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝. 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异. 相似文献
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直孔双心掏槽法在中硬岩石矿山中提高一次循环掘进深度,降低爆破器材成本,充分发挥凿岩设备,总结在中硬岩层金属矿山中应用成功的经验。 相似文献
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液体静压导轨恒流量控制的设计与分析 总被引:3,自引:2,他引:1
阐述了液体静压导轨优点和基本原理;详细分析了采用多头泵进行恒流量控制静压导轨的方法和步骤,并进行了静态分析和动态分析. 相似文献
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