排序方式: 共有8条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1
1.
2.
利用自行搭建的实验平台,测试了高纯MgO晶体和Sc掺杂MgO晶体的紫外光光致发光(PL)光谱,发射峰值分别位于389.31、498.61nm、712.44和749.06nm,其可见光发射区和红外发射区主要对应于MgO晶体中由O空位构成的F色心和F+色心通过激发和退激发机制发射;在不同温度退火条件下测试Sc掺杂MgO晶体的PL光谱,并利用高斯分解实现了Sc掺杂MgO晶体中F色心和F+色心的定位。结果表明,高温退火处理可以有效降低MgO晶体表面的污染,进而提高晶体的光电活性;Sc掺杂导致MgO晶体可见光发射区域的蓝移和增强,其中F+色心对于温度的依赖性较强。 相似文献
3.
4.
5.
研究了等离子显示器中Sc掺杂对MgO介质保护薄膜外逸电子发射性能的影响。测试出无掺杂和Sc掺杂MgO薄膜在不同温度条件下的外逸电子发射电流,并基于理论模型模拟计算外逸电子发射电流对比实验结果。结果表明Sc掺杂加深了MgO禁带中的电子陷阱深度,延长了MgO薄膜的外逸电子发射的衰减时间。Sc掺杂MgO薄膜具备了持续发射外逸电子的能力,能够实现等离子显示器放电单元稳定快速的寻址。 相似文献
6.
7.
本文使用7英寸荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的实验小屏,在真空系统上动态地改变混合气体中Xe浓度和气体压强,测量了着火电压、发射光光强、电子温度、电流、亮度和效率等参数,并分析了混合气体对(SM-PDP)放电的影响。结果表明,提高Xe浓度和气体压强虽然带来了着火电压的升高,但是同时也使得电流下降,亮度和效率大幅提高。通过提高Xe浓度和气体压强,导致电子和中性粒子的碰撞截面变大:一方面电子的碰撞几率增加,使得放电中电子温度降低,增加了基态Xe原子到低能级的直接激发;另一方面中性粒子的碰撞几率增加,使得173 nm的真空紫外线辐射增强,从而改善总的气体放电效率。 相似文献
8.
高Xe混合气体对荫罩式等离子体显示器性能的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
本文以提高荫罩式等离子体显示器(SM-PDP)的发光效率为目标,以7"小屏为实验平台,采用实验测试的方法研究了提高Xe浓度对着火电压、静态margin、单脉冲亮度和发光效率的影响.结果表明,Xe浓度的提高虽然增加了着火电压,但同时也加大了静态margin、提高了单脉冲亮度以及发光效率,因此不失为改进SM-PDP的发光效率和性能的良好途径. 相似文献
1