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采取BESOI技术形成带真空腔的绝压式结构,利用凸型梁使形变膜的应力放大,研制出在电源电压5V时,具有输出灵敏度为257.4mV/10~5Pa的绝压式负压传感器芯片.其非线性度约0.1%,未加负压时,输出电压的温漂约400×10~(-6)/℃(FS). 相似文献
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对不同条件的F++B+双注入样品和对应能量的B+和BF2+注入样品,作1100℃.10秒的瞬时热退火,然后用扩展电阻仪测量其载流子分布和结深.结果显示,用1e15/cm2的F+预注入能有效地抑制低能B+注入的沟道效应,获得陡直的浅结.对样品的结特性测试表明,F++B+双注入样品的结漏电与B+注入样品一致,小于对应能量的BF2+注入样品.RBS/C分析表明,只要在材底近表面附近单晶中有高浓度的间隙原子区,就能抑制低能B+注入的沟道效应,并非必需使衬底达到预非晶状态 相似文献
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用BESOI技术形成带腔结构,研制了具有高过载性能的绝压式和差压式压力传感器。用凸型梁结构使形变膜的应力放大,可提高传感器的输出灵敏度,实验得到的负压传感器的非线性度小于0.1%,5V时输出灵敏度约2.6mV/kPa。 相似文献
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