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研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变化曲线发现明显的峰,测试分析了电容-电压和电导-电压特性。结果表明电子通过直接隧穿停留在镍纳米晶中,并且存储在 MOS 结构中。 相似文献
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纳米晶PZT薄膜体声波谐振器的研究 总被引:1,自引:1,他引:1
采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在Si基Pt电极上沉积了PZT压电薄膜,并研制了以SiO2为声反射层的体声波谐振器.用X-射线衍射、电镜扫描及原子力显微镜测试表明,PZT薄膜具有(110)择优取向,良好的短柱状自行晶结构及平滑的表面,晶粒平均尺寸为50~60 nm.介电性能测试结果表明,介电常数保持约800,损耗角为0.02.用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为2.91 GHz和3.01 GHz,机电耦合系数为8.18%.在敏感元电极上加载1 μL浓度为0.2 μg/μL的磁性微球溶液,谐振频率降低了0.09 GHz. 相似文献
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优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶.在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构.利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态.电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间290s,具有较好的保留性能. 相似文献
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优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。 相似文献
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基于Parylene的柔性微电极阵列微加工工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
基底集成的柔性微电极阵列(MEAs)从一个全新的角度演绎了植入式神经系统,对神经进行电刺激并记录神经电信号.以一种新型聚合物材料聚对二甲苯(parylene)为基底,制备出了用于神经接口的柔性神经微电极阵列.采用MEMS加工技术,设计了一种基于parylene柔性神经微电极阵列的加工工艺方法,并讨论了在流片过程中的关键问题,如掩膜层的选择、电极的剥离及焊接与封装等.该柔性微电极阵列在用于视觉假体的神经接口方面具有独特的应用优势. 相似文献