氯气灾害事故的处置探讨

从氯气的基本性质入手,分析探讨了氯气灾害事故处置程序,现场处置方法以及化学中和过程药品使用计算方法,为成功处置同类灾害事故提供了借鉴依据。     

基于陷落电荷效应的非晶硅TFT的开态电流模型

对非晶硅薄膜晶体管,提出基于陷落电荷和自由电荷分析的新方法。考虑到带隙中指数分布的深能态和带尾态,给出了基于阈值电压的开启区电流模型。定义阈值电压为栅氧/半导体界面处陷落于深能级陷阱态的电荷与陷落于带尾态的电荷相等时所对应的栅压。电流模型中,引入一陷落电荷参数β,此参数建立了电子的带迁移率与有效迁移率之间的关系。最后,将电流模型同时与Pao-Sah模型和实验数据进行比较和验证,结果表现出很好的一致性。     

低压CMOS满幅度恒定增益运算放大器设计

运用负反馈控制输入共模电平,实现了电源电压仅为0.9 V的满幅度运算放大器。采用TSMC 0.35μm CMOS工艺参数HSPICE模拟结果显示,在满幅度共模电平下,运放的平均直流电压增益为66.4 dB(10 pF电容负载),增益波动仅为0.01%,平均单位增益带宽为1.88 MHz,平均相位裕度52°,平均静态功耗仅为135μW。     

一种基于负电阻增益增强型的全差分运算放大器

设计了一种新颖的全差分的CMOS运算放大器.在全部晶体管都取最小沟道长度的情况下,层叠的负电阻晶体管结构来提高增益.在电源电压为2.5V, 0.25 μm CMOS工艺条件下进行电路模拟.模拟结果表明, 开环直流增益为86 dB,单位增益带宽为200 MHz,相位裕度为80°.     

非晶IGZO薄膜晶体管开启区电流的解析模型

对非晶In-Ga-Zn-Oxide薄膜晶体管,假设能隙中陷阱态密度呈指数分布,给出了解析的电流模型。运用薄层电荷近似的方法推导陷落电荷和自由电荷表达式,并基于此给出了基于表面势的电流表达式。在此电流表达式的基础上,通过泰勒展开,给出了基于阈值电压的电流表达式。基于表面势和基于阈值电压的电流表达式的计算结果与测量数据相比较,符合得很好。     

CoFeZrRE非晶薄膜的各向异性研究

研究了磁性稀土元素 (RE)的种类和含量 (0≤x≤ 3) ,对非晶态 (Co73 Fe2 0 Zr7) 10 0 -x (RE) x 薄膜各向异性的影响 ,并着重探讨该类薄膜中出现的平面单轴各向异性 (Ku)和垂直各向异性 (Kp)的起源问题。薄膜是在外加磁场中溅射而成。当掺入的稀土元素为Nd ,Pr,Dy和Tb时 ,获得了显著的平面单轴各向异性Ku ,且Ku与稀土元素的单离子各向异性密切相关。当稀土元素为Gd和Sm时 ,则会出现双轴各向异性 (Ku和Kp) ,这主要是成膜温度高于临界温度时 ,同时形成了 2种局域性的异质的磁结构。     

差模电压放大倍数的四种分析方法

差分放大电路的主要作用是抑制共模电平和放大差模信号,因而具有良好的温度和噪声特性,是集成运放的重要基础。为了更好地对差模放大倍数进行分析,文章总结出三种新的解法,即直接求解法、GmRout方法和戴维宁求解,可合计得到四种分析方法。便于学生有机地把电路理论的知识运用到模拟电路分析中,加深对差分放大电路的理解。     

Analytical drain current model for amorphous IGZO thin-film transistors in above-threshold regime

An analytical drain current model is presented for amorphous In-Ga-Zn-oxide thin-film transistors in the above-threshold regime,assuming an exponential trap states density within the bandgap.Using a charge sheet approximation,the trapped and free charge expressions are calculated,then the surface potential based drain current expression is developed.Moreover,threshold voltage based drain current expressions are presented using the Taylor expansion to the surface potential based drain current expression.The calculated results of the surface potential based and threshold voltage based drain current expressions are compared with experimental data and good agreements are achieved.     

0．6VCMOS轨至轨运算放大器

为适应低压低功耗设计的应用,设计了一种超低电源电压的轨至轨CMOS运算放大器。采用N沟道差分对和共模电平偏移的P沟道差分对来实现轨至轨信号输入．。当输入信号的共模电平处于中间时,P沟道差分对的输入共模电平会由共模电平偏移电路降低,以使得P沟道差分对工作。采用对称运算放大器结构,并结合电平偏移电路来构成互补输入差分对。采用0．13μm的CMOS工艺制程,在0．6V电源电压下,HSpice模拟结果表明,带10pF电容负载时,运算放大器能实现轨至轨输入,其性能为：功耗390μw,直流增益60dB,单位增益带宽22MHz,相位裕度80°。     

三阶驱动原理在TFT LCD电测波形设计中的应用

将三阶驱动原理应用于TFT-LCD 电测波形的设计,并通过实验验证了其有效性.设计过程中,直接通过栅极电压上拉,将Cs产生的Feed Through电压用来补偿栅极电压关闭时使Cgd产生的Feed Through电压.这样无需通过修正Vcom电压来补偿(栅极电压关闭时产生的Feed Through电压),避免了获取Clc参数难的问题.