免清洗液态助焊剂标准的技术要点

本文介绍了我国免清洗液态助焊剂电子行业标准的技术要点和标准制定的基本依据及其它有关情况,对免清洗液态助焊剂的颜色、不挥发物含量、卤化物、离子污染、扩展率、铜镜腐蚀、表面绝缘电阻、电迁移和残留有机污染物等标准的技术要点进行了详细的说明。     

用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷

用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征.通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等.从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法.     

GC-MS法则定水溶性树脂漆中的甲醛含量

本文建立水溶性树脂漆中甲醛含量的衍生气相色谱-质谱联用技术测量方法.方法的检出限小于5μg/L,回收率为90%～110%,相对标准偏差小于5%.     

太阳能级多晶硅中痕量金属杂质含量的ICP-MS测定

研究了电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS),测定太阳能级电池用硅材料中Al,Fe,Ca,Mg,Cu,Zn,Cr,Ni和Mn等痕量元素的分析方法。考察测量过程中的质谱干扰及基体元素产生的基体效应,讨论了可能的消除方法,考察了内标元素Sc,Y,Rh等对基体抑制效应的补偿。采用Sc和Rh做内标元素补偿基体效应和灵敏度漂移,在测定中取得良好的效果。样品的加标回收率为90.0%～107.1%,相对标准偏差(RSD)0.9～3.4%,检出限为0.030～0.500 μg/L。     

红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体裁流子浓度方法的研究

文报道了用红外透射光谱测量重掺杂化合物半导体n-GaAs和n-InP 载流子浓度的研究结果.给出了载流于浓度N和透射光谱截止波长λ_c的关系曲线,对应的经验公式为:对于 n-GaAs,N=1.09 × 10~(21)λ_c~(3.0623);n-InP,N=3.58 × 10~(20)λ_c~(-2.6689).本方法载流子浓度测量范围为 1.0×10~(17)≤N≤2.0 ×10~(19)cm~(-3),测量误差 ±10～15％.文中对测量条件进行了讨论,并给出了GaAs:Si样品载流子浓度径向分布的测量结果.     

含铅危险固體废物的環保再生处理方法

1引言 锡铅合金焊料在电子信息产品制造过程中广泛应用，在焊接过程中，由于高温氧化产生大量的氧化渣。氧化渣的主要成分为锡铅氧化物，属于含铅危险固体废物，其无序排放物对人类和环境具有极大的危害作用，为国家强制管理的危险固体废物范畴。     

半绝缘砷化镓中EL2浓度的自动测量系统

本文介绍了使用通用计算机外部控制 PE Lambda-9分光光度计,设计完成了数据处理工作站,利用此工作站形成了一套半绝缘砷化镓中EL2浓度微区分布的自动测量系统。     

印制电路板组装件非ODS清洗质量检测方法

本文主要介绍了印制电路板组装件焊接后非ODS清洗剂清洗质量表征参数的测量方法，这些参数主要包括：外观，干燥度，离子污染，助焊剂残留，表面绝缘电阻和电迁移等。