微电子专业的通才和专才培养模式

国内微电子产业迅猛发展,支持在低端产品的基础技术人员的储备已经达到相当规模,但自主研发高端产品的专业人才匮乏。目前高等学校微电子专业改革中,在通才和专才培养模式之间很难找到平衡点。本文通过对比中美的微电子人才培养模式,讨论微电子专业通才和专才的培养模式。     

TiO_2薄膜成分和结构分析及其对折射率的影响

在硅衬底上利用电子束蒸发沉积了TiO_2薄膜,利用椭圆偏振仪测量了不同沉积温度下的TiO_2薄膜的折射率,发现其折射率随着沉积温度的升高而升高.利用X射线衍射(XRD)仪对这些薄膜的结构进行表征,发现折射率高的样品其结晶化程度也高.利用X射线光电子能谱(XPS)和傅立叶红外吸收谱(FT-IR)相结合的方法对薄膜的成分进行分析,发现内部存在低价态的钛氧化物,使薄膜的折射率明显低于固体块材料的折射率.     

用AlNH_4（SO_4）_2·12H_2O及MgSO_4·7H_2O制备镁铝

以ＡＩＮＨ＿４（ＳＯ＿４）＿２·１２Ｈ＿２Ｏ和ＭｇＳＯ＿４·７Ｈ＿２Ｏ为原料，用焙烧法制得ＭｇＡｌ＿２Ｏ＿４尖晶石微粉。用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＧ／ＤＴＡ等手段分析了实验结果，表明该粉纯度高，分散性好，颗粒细小均匀。用该超微粉制得了光学质量完好的尖晶石单晶体。同时研究了反应过程中的相变情况及保温过程工艺参数与相成份、晶形变化的相互关系。     

用AlNH4（SO4）2·12H2O及MgSO4·7H2O制备镁铝尖晶石微粉

以ＡｌＮＨ４（ＳＯ４）２·１２Ｈ２Ｏ和ＭｇＳＯ４·７Ｈ２Ｏ为原料，用焙烧法制得ＭｇＡｌ２Ｏ４尖晶石微粉。用ＸＲＤ，ＳＥＭ，ＴＧ／ＤＴＡ等手段分析了实验结果，表明该粉纯度高，分散性好，颗粒细小均匀。用该超微粉制得了光学质量完好的尖晶石单晶体。同时研究了反应过程中的相变情况及保温过程工艺参数与相成份、晶形变化的相互关系。     

硼碳氮薄膜的制备与表征

用电子束蒸发的方法在单晶硅(100)基片上制备了硼碳氮薄膜,通过椭圆偏振仪、X射线衍射仪(XRD)、X光电子能谱仪(XPS)、傅立叶红外光谱仪(FTIR),测试分析了薄膜厚度均匀性、成分与结构.结果表明,薄膜均匀性较好,薄膜的沉积速率非常慢;薄膜在衬底温度为常温下沉积已是晶态的,随着衬底温度升高到450 ℃,其结晶性逐渐增强;薄膜不是石墨与BN的混和膜而是C、B、N相互结合成键.     

MgO·（Al2O3）n尖晶石单晶体的制备及相关特性研究

本文运用高温固相反应法和焰熔生长方法制备了非化学配比的MgO·(Al_2O_3)_n(其中n=1.0,1.3,1.5,2.0,2.3,2.5,2.7,3.0,4.5,5.0)尖晶石微粉及单晶体。并用XRD,SEM,TG/DTA,IR及常规测试手段分析了实验结果,认为尖晶石粉料具有高纯度、粉粒细且均匀、分散性好,以及白度好等特点。选择适当的n值,晶体容易生长且有较好的光学质量。化学分析表明;尖晶石有较好的化学性能,机械性能也好。因此,非化学配比的尖晶石既是短波长激光基质材料、陶瓷材料,也是优良的宝石饰品材料,可制成闪光的钻石和美丽的月长石代用品。     

亚ns级抖动环形电极场畸变火花隙开关

研制了最高工作电压100kV的一种环形电极场畸变火花隙开关,计算和模拟了开关内部电场分布。通过实验检测了开关的耐压特性以及不同电压下的开关动作延迟时间和抖动。结果表明欠压比相同时,开关抖动随电极间距增大而增大,在间距3mm时开关工作稳定、动作时间延迟小,抖动<1ns,但开关电极间距小时,工作电压不高。     

生物活性羟基磷灰石/二元氨基酸共聚物复合材料的制备和性能

通过原位聚合法制备新型生物活性羟基磷灰石/二元氨基酸共聚物(BHA/PAA)复合材料。采用1 H核磁共振(1 H NMR)、红外光谱(IR)、X-ray衍射光谱(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)和差示扫描量热分析(DSC)对其组成结构、热性能、力学性能和体外降解性能进行研究。结果表明:BHA颗粒均匀分散在PAA基质中,形成的复合材料具有良好的均一性;复合材料的无机相和有机相之间存在着一定的化学键相互作用;由于BHA的引入,复合材料的结晶速率加快,整体结晶度下降;复合材料具有良好的力学性能,其抗压强度随着BHA含量的增加而明显提高,抗弯强度略有减小,当BHA含量为30%(质量分数)时,复合材料的抗压强度和抗弯强度分别为141.02MPa和86.32MPa,力学性能与人体皮质骨相匹配;体外降解实验结果表明,随着BHA含量的增加,材料的降解速率加快,且在降解过程中保持良好的力学性能稳定性,在骨修复方面具有潜在的应用。     

碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析

采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构,测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS),并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析.XRD结果表明:薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐渐转好,在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜.XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性,其主要成分为B_4C.AFM结果表明,薄膜表面光滑平整、均匀致密,随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增大.     

反应烧结法合成ALON粉体的研究

采用微米级Al粉和纳米级Al2O3粉为原料，在N2气氛保护下球磨，并在流动N2中煅烧，尝试了纯相ALON粉体的合成。通过改变合成温度和保温时间等工艺参数，使原料反应充分，并通过适当改变原料中Al的含量，以控制合成试样中过量AlN的产生。同时对合成的粉体用XRD进行物相的定性分析，研究了温度、保温时间和原料配比等参数对合成纯相粉体物相的影响，并用TEM对粉体微观形貌进行观察。结果表明，将原料中Al粉的质量比调整为10％后，在1800℃煅烧3h的条件下，可以得到纯相的ALON粉体。