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以F 掺杂透明导电玻璃(FTO)为基底, 利用一步电化学沉积法制备了Cu(In1-x,Gax)Se2(CIGS)薄膜, 系统地研究了电解液pH值对CIGS薄膜的化学组分、结构及其光电性能的影响。结果显示通过改变电解液pH值可以有效调控薄膜中In和Ga的化学计量比。X射线衍射(XRD)分析和扫描电子显微镜(SEM)结果表明, pH值为2.0时制备的CIGS薄膜结晶性较好, 颗粒尺寸分布均匀。并且利用表面光伏技术研究了不同化学计量比对CIGS薄膜中光电荷动力学过程的影响, 结果表明n(Ga)/n(In+Ga)约为0.3时, CIGS薄膜的光电性能最好。 相似文献
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