CaF_2掺杂对α-BZN陶瓷结构与介电性能的影响

采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7-yFy（0.00≤x≤0.20,以下简称BZN-x）陶瓷样品,研究了Ca2＋、F-共掺杂对BZN-x陶瓷烧结特性、微观结构和介电性能的影响。结果表明：BZN-x陶瓷样品的最佳烧结温度为1 020℃,CaF2在α-BZN中的固溶度是0.05,伴随着CaF2掺杂量的增加,介电常数逐渐减小,而介电损耗先减小然后又微弱增加（测试频率为1 MHz时）。通过介电损耗、电阻率的变化确认了CaF2掺入α-BZN后的缺陷补偿方式,同时也证实随着掺杂量的增加,介电常数峰值温度向低温移动与缺陷补偿方式有关。     

Ti~(4+)掺杂对α-BZN结构与介电性能的影响

采用固相反应法制备Bi1.5ZnNb1.5-xTixO7(0≤x≤0.2,BZNT)陶瓷,研究了Ti4+替代Nb5+对Bi1.5Zn-Nb1.5O7陶瓷显微结构、介电性能和结晶化学特性的影响。结果表明:替代量x≤0.15 mol时,样品为单一的α-BZN相;陶瓷样品在960℃表现出最佳烧结特性,随着Ti4+替代量增加,晶格常数减小;结晶化学参数键价和AV(O')[Bi4]、AV(O')[Bi3Zn]、AV(O')[Bi2Zn2]、AV(O')[Ti3Zn]均增大,且该行为与其晶格常数、介电性能变化相吻合。     

热处理工艺参数对TiO2成膜性的影响

采用溶胶-凝胶法和旋涂工艺,以钛酸丁酯、冰乙酸、乙酰丙酮、无水乙醇、去离子水为原料,制取TiO2薄膜,研究热处理工艺对TiO2成膜性的影响,结果表明,获得均匀连续的TiO2薄膜的工艺参数为:匀胶转速为3000r/min;镀膜时预处理温度为80℃、预处理时间为10 min;室温至200℃阶段的烧结升温速率为0.5℃/min,高温阶段为3℃/min;经500℃烧结热处理后得到锐钛矿结构,薄膜晶粒尺寸均在30～80 nm的范围之内。     

特大地震灾害现场医疗救援的组织与实施

采用固相反应制备了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xSnx)O7陶瓷,研究了Sn4+取代Nb5+对BLZNS陶瓷介电性能的影响.结果表明,当替代量x≤0.4时,相结构保持单一的单斜焦绿石相.介电损耗温度特性出现了明显的弛豫现象,运用缺陷偶极子模型分析了该现象.x为0.05、0.15、0.30和0.40时,样品的介电损耗峰值温度为78℃、7℃、36℃、83℃,比较了介电弛豫温区移动的差异及分析介电弛豫现象的不对称.     

添加助烧剂对Ba(Ti0.91Zr0.09)O3介电性能的影响

采用固相反应法制备了添加1wt％CuO—BaO混合物的Ba（Ti0.91Zr0.09）O3铁电陶瓷，借助XRD、SEM、Aglient；4284测试仪、ZT—I电滞回线测量仪，研究了预烧前和预烧后加入CuO—BaO混合物对Ba（Ti0.91Zr0.09）O3铁电陶瓷的烧结特性及介电性能的影响。结果表明：不论在预烧前和预烧后添加1wt％CuO—BaO混合物，均能有效降低Ba（Ti0.01Zr0.09）O3的烧结温度，但是在预烧前加入CuO—BaO混合物，室温介电常数高，损耗小，并且伴有介电弛豫现象，电滞回线呈现典型弛豫型铁电体的特征。     

锂、钒掺杂对Bi_2(Zn_(1/3)Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度和介电性能的影响

采用固相反应法制备出了(Bi1.975Li0.025)(Zn2/3Nb4/3-xVx)O7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响。结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂量x≤0.05时,陶瓷相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象;当x为0.005,0.01,0.02和0.05时,陶瓷的介电弛豫峰值温度分别为125,120,112,100℃,介电弛豫激活能的减小使弛豫温区向低温方向移动。     

硼硅对BST薄膜结构和性能的影响

用sol-gel法制备0.5mol/L钛酸锶钡(Ba0.7Sr0.3TiO3)前驱溶液,并在其中加入硼、硅成功地制备了室温下具有优良铁电性质的BSTS薄膜。XRD及DSC分析显示,BSTS薄膜呈现钙钛矿结构。测试结果表明,随着硼、硅的加入量增加,其εr和tgδ明显降低。当硼、硅的加入量小于10mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的低,当硼、硅的加入量大于15mol/L时,薄膜的漏电流比没有加入硼、硅的BST薄膜的高。     

ZnO–B2O3掺杂BaAl2Si2O8陶瓷的结构及微波介电性能

采用固相反应法制备BaAl_2Si_2O_8–x%ZnO–B_2O_3(x=0,1,2,3,4,质量分数)陶瓷。探究了不同含量的ZnO–B_2O_3(ZB)烧结助剂对BaAl_2Si_2O_8(BAS)陶瓷的烧结温度、结构及微波介电性能的影响。结果表明:ZB烧结助剂可降低BAS陶瓷的烧结温度。并且能够促进BAS晶体结构由六方相转变为单斜相,当x=1时,六方相BAS全部转变为单斜相BAS,并且ZB烧结助剂添加量在4%以内,无第二相生成。添加1%的ZB烧结助剂可促进样品晶粒长大,密度、介电常数和品质因数增大,谐振频率温度系数的绝对值减小。在x=1,烧结温度为1 350℃时,能够获得品质因数较高的单斜相BAS,其介电性能为:ε_r=6.45,Q×f=40 608 GHz,τf=–22.46×10~(–6) K~(–1)。     

不同方法制备BiNbO4微波陶瓷的研究

研究了固相反应法和熔盐法两种制备方法对BiNbO4微波陶瓷的烧结温度、微观形貌、结构和介电性能的影响。实验表明:在添加CuO和V2O5分别为0.1%(质量分数)时,固相反应法在较低的烧结温度下可获得较致密的陶瓷样品,样品表面晶粒呈球状,品质因数与谐振频率的乘积即Q×f值较大,谐振频率温度系数为正值;熔盐法制得的陶瓷样品具有明显的各向异性,晶粒呈棒状,谐振频率温度系数随烧结温度的升高由正值向负值变化,在940℃烧结,介电常数为38,Q×f值为7781 GHz,谐振频率温度系数近零,为0.92×10-6/℃。两种方法制得的陶瓷样品在微波频段介电常数相近。     

铅掺杂对钛酸锶钡铁电薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶法在Pt／Ti／SiO2／Si（100）村底上制备了末掺杂和掺铅的钛酸锶钡（BST）薄膜,研究了铅的加入对BST薄膜的结构和电学性能的影响。实验结果表明：随着铅的加入量的增加,BST薄膜的晶粒尺寸增大;在同一频率下,介电常数呈增大趋势。在测试频率低于50kHz时,介电常数和介电损耗急剧降低。