官能团修饰对MOF-5的气体分子吸附影响

采用紧束缚近似计算方法,研究了金属有机骨架(MOF-5)和不同官能团(―NO2,―NH2,―CH3,―OZn)修饰后的MOF-5不同吸附位点的CO2等温室气体和部分工业废气吸附性能以及对不同气体的选择性吸附能力.结果表明,对于未修饰的MOF-5,位点I和II是主要的吸附位点,最大吸附能可达-0.25eV.官能团修饰提高了MOF-5对CO2的吸附能力,其与官能团活性和局部位型密切相关.其中―NO2修饰使各位点的CO2吸附能力都有一定提高.同时,―NO2修饰后MOF-5对空气环境(O2,N2,H2O,CO2),工业废气环境(CO2,CO,NO,NO2,SO2,SO3)中不同气体有明显的选择性吸附能力.     

不同散射机理对 Al2O3/InxGa1-xAs nMOSFET 反型沟道电子迁移率的影响

通过考虑体散射、界面电荷的库仑散射以及 Al₂O₃/In_xGa_1-xAs 界面粗糙散射等主要散射机理, 建立了以 Al₂O₃为栅介质In_xGa_1-xAs n 沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (nMOSFETs) 反型沟道电子迁移率模型, 模拟结果与实验数据有好的符合. 利用该模型分析表明, 在低至中等有效电场下, 电子迁移率主要受界面电荷库仑散射的影响; 而在强场下, 电子迁移率则取决于界面粗糙度散射. 降低界面态密度, 减小 Al₂O₃/In_xGa_1-xAs 界面粗糙度, 适当提高In含量并控制沟道掺杂在合适值是提高 InGaAs nMOSFETs 反型沟道电子迁移率的主要途径. 关键词： InGaAs MOSFET 反型沟道电子迁移率 散射机理     

硫化NiW/Al2O3催化剂上H2同时催化还原SO2和NOⅠ.NO的分解与还原

 考察了NO在硫化NiW/Al2O3催化剂上分解和还原的规律. 结果表明,在350 ℃以上,NO完全分解,但同时催化剂的晶格硫因氧化而以SO2的形式大量流失,最终导致催化剂完全失活. 在NO分解反应体系中,按化学计量比引入的H2与晶格硫竞争消耗NO分解所生成的Oad,使晶格硫的氧化在一定程度上得到抑制; 氧化的部分晶格硫能通过一系列氧化还原过程重新进入催化剂晶格,导致晶格硫的流失速度和程度得到缓和,催化剂可在较长的时间内保持较高的NO转化活性. 但是,催化剂的活性最终仍会因为大部分晶格硫逐渐流失而大幅度下降.     

Improved interface properties of an Hf02 gate dielectric GaAs MOS device by using SiNx as an interfacial passivation layer

A GaAs metal-oxide-semiconductor （MOS） capacitor with HfO2 as gate dielectric and silicon nitride （SiNx） as the interlayer （IL） is fabricated. Experimental results show that the sample with the SiNx IL has an improved capacitance- voltage characteristic, lower leakage current density （0.785 × 10^-6 Alcm^2 at Vfo ＋ 1 V） and lower interface-state density （2.9 × 10^12 eV^-1 ·cm^-2） compared with other samples with N2- or NH3-plasma pretreatment. The influences of post- deposition annealing temperature on electrical properties are also investigated for the samples with SiNx IL. The sample annealed at 600 ℃ exhibits better electrical properties than that annealed at 500 ℃, which is attributed to the suppression of native oxides, as confirmed by XPS analyses.     

Improved interface properties of an HfO_2 gate dielectric GaAs MOS device by using SiN_x as an interfacial passivation layer

A GaAs metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor with HfO2 as gate dielectric and silicon nitride (SiNx ) as the interlayer (IL) is fabricated. Experimental results show that the sample with the SiNx IL has an improved capacitance-voltage characteristic, lower leakage current density (0.785 × 10-6 A/cm2 at Vfb + 1V) and lower interface-state density (2.9 × 10 12 eV-1 ·cm-2 ) compared with other samples with N2-or NH3-plasma pretreatment. The influences of post-deposition annealing temperature on electrical properties are also investigated for the samples with SiNx IL. The sample annealed at 600℃ exhibits better electrical properties than that annealed at 500℃, which is attributed to the suppression of native oxides, as confirmed by XPS analyses.     

硫化NiW/Al2O3催化剂上H2同时催化还原SO2和NOⅡ. SO2和NO的同时还原

 对硫化NiW/Al2O3催化剂上H2同时还原SO2和NO反应进行了研究,探讨了温度、空速、H2配比以及Ni负载量对反应的影响. 结果表明,催化剂的活性随反应温度的升高而增加,550 ℃时, SO2和NO在15%Ni-10%W/Al2O3上的转化率达100%,单质硫的产率达90%以上; 增加空速对NO转化率和单质硫的选择性影响不大,但SO2转化率及单质硫产率明显下降; 提高n(H2)/n(SO2+NO)的比值可显著提高SO2转化率,但单质硫选择性明显下降,其比值为2.0时单质硫产率最大,随后随H2浓度的增加而迅速下降, NO转化率几乎不受H2配比的影响; 增加催化剂的Ni含量可明显提高各反应物的转化率及单质硫的选择性和产率; 预硫化过程对催化剂性能有很大影响,是获得高活性催化剂的必要条件. 催化剂稳定性测试及XRD结果表明,催化剂不会因为晶格硫的大量流失而失活. 最后,提出了H2同时还原SO2和NO反应的机理.