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We have preformed systematical ab initio studies of the structural and electronic properties of short-period Si1-xⅣx/Si (x = 0.125, 0.25, 0.5, Ⅳ=Ge, Sn) superlattices (SLs) grown along the [001] direction on bulk Si. The present calculations reveal that the Si0.875Ge0.125/Si, Si0.75Ge0.25/Si and Si0.875Sn0.125/Si are the F-point direct bandgap semiconductors. The technological importance lies in the expectation that the direct gap Si1-xⅣx/Si SLs may be used as components in integrated optoelectronic devices, in conjunction with the already well-established and highly advanced silicon technology. 相似文献
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Electronic Structures of the Filled Tetrahedral Semiconductor LiMgN with a Zincblende—Type Structure 下载免费PDF全文
An ab initio method with mixed-basis norm-conserving non-local pseudo-potentials has been employed to investigate the electronic structures of LiMgN.The band structure ,electronic density of states and charge density contour plot of LiMgN are also presented.By the calculation,we have found that LiMgN with a zincblende-type structure was an indirect gap semiconductor,and the value of indirect(Γ-X) energy band gap under the local density approximation was 2.97eV.In addition,the strong covalent charcter for Li-N and Mg-N has also been found in LiMgN. 相似文献
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采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)1(InP)1(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△Ev)的普遍适用的参考能级。研究了应变对
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本文用密度泛函线性丸盒轨道原子球近似方法(DFT-LMTO-ASA)对(GaAs)_1(AlAs)_1(001)超晶格的电子结构进行了第一原理性计算。利用Lowdin微扰法在矩阵元中计入d态的影响,可使本文方法仅用阶数很小(32×32)的久期方程便可较满意地处理这个超晶格系统。计算并讨论了该超晶格的带隙,导带极小值处各本征态的分波特性以及GaAs和AlAs层间的价电子转移。我们的结果同最近用计算量大得多的从头算赝势法和完整势线性缀加平面波(FLAPW)法所得的结果进行了比较。结果表明,本文方法不仅具有合理的精度,而且有快速高效率的特点,更适于研究层数较多或结构更复杂的半导体超晶格,如(GaAs)m(AlAs)n等系统的电子结构性质。 相似文献
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利用自旋局域密度泛函的第一性原理对3d过渡金属(TM=V,Cr,Mn,Fe,Co和Ni)掺杂的Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2(CdGeP2和ZnGeP2)黄铜矿半导体的电磁性质进行系统计算,结果发现:V和Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将出现铁磁状态(FM),Mn,Fe以及Co掺杂的CdGeB和ZnGeP2将出现反铁磁状态(AFM),而Ni掺杂时,稀磁半导体(DMS)的磁性比较不稳定,其中Cr掺杂的CdGeP2和ZnGeP2将可能是具有较高居里温度Tc的DMS,当TM-3d电子的t2g态部分被填充时,其掺杂的DMS将出现FM状态;而当TM-3d电子的t2g态全满或者全空时,其掺杂的DMS将出现AFM状态,在(Cd,Mn)GeP,和(Zn,Mn)(GeP2中分别掺入电子和空穴载流子,可以发现载流子是否具有TM-3d电子的巡游特性是。DMS是否出现FM状态的主要原因。 相似文献