Eu(DBM)_3TPPO的晶体结构和荧光光谱

C_(63)H_(51)O_7PEu,三斜晶系,空间群,a=12.336(3),b=18.729(5),c=11.502(3),α=95.86(2),β=103.14(2),γ=87.89(2)°,Z=2,D_x=1.39gcm~(-3)。用6989个I>3σ(I)的可观察衍射数据对72个非氢原子的原子坐标和各向异性温度因子进行全矩阵最小二乘精修,最终的偏离因子R=0.055。中心离子Eu(Ⅲ)由七个氧原子配位,配位多面体为畸变的单帽三棱柱体,帽位由TPPO的氧原子占据,Eu—O原子间距在2.305(4)—2.367(4)之间。77K下测定了配合物的高分辨激光激发和发射光谱,结果表明配合物中Eu(Ⅲ)离子有两种格位,一具C_(2v)点对称性,另一具C_s点对称性。具有较低对称性C_s的物种在配合物中占绝对优势。77K下还记录了掺1％铕的配合物Gd(DBM)_3TPPO的发射光谱,结果表明Gd(Ⅲ)离子具有与标题化合物中Eu(Ⅲ)离子相同的格位。     

玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

Optical properties of ZnO thin films on SiO_2 substrates deposited by radio frequency magnetron sputtering

The optical properties of both the annealed and as-deposited ZnO thin films by radio frequency (RF) magnetron sputtering on SiO2 substrates were studied. In the annealed films, two pronounced well defined exciton absorption peaks for the A and B excitons were obtained in the absorption spectra, a strong free exciton emission without deep-level emissions was observed in the photoluminescence (PL) spectra at room temperature. It was found that annealing the films in oxygen dramatically improved the optical properties and the quality of the films.     

TiO2∶Mo体系的光子雪崩上转换

在 978nm激光二极管的激发下 ,Mo掺杂的TiO2 材料表现出很强的宽带上转换发光 ,该发光来源于 [MoO4]2 - 基团的激发态3T1 ,3T2 能级到基态1 A1 能级的电子跃迁 .通过研究发光强度与抽运功率的关系及上转换发光的上升时间曲线 ,发现TiO2 ∶Mo体系的上转换发光中存在着雪崩机制 ,应用转换函数理论分析了光子雪崩的产生条件和主要特征 ,理论结果和实验数据很好地符合     

铽－甲基吲哚乙酰丙酮三元配合物发光过程研究

测定和分析了ＲＥ．Ｌ１．Ｌ２（ＲＥ＝Ｔｂ（Ⅲ）、Ｇｄ（Ⅲ），Ｌ１＝３Ｍ（３甲基吲哚－１－乙酰基丙酮），Ｌ２＝ＴＰＰＯ、Ｐｈｅｎ、Ｄｉｐｙ）三元配合物的荧光光谱、磷光光谱、磷光寿命及变温荧光光谱等．讨论了Ｔｂ（Ⅲ）与配体之间的能级匹配和Ｌ１与Ｌ２的三重态之间传能的问题，说明了影响这些三元配合物荧光效率的主要因素及其发光过程．     

频率受随机过程调制的体系中的光谱扩散

通过在Bloch方程中增加描述对频率微扰的随机过程项{ω(t)},我们讨论了系统在窄谱带的光激发后的光谱扩散。特别是以下两种情况:1)如果ω以相同的概率变化为系综中的任一ω’,光谱是一个指数式衰减的定域峰和指数式增长的动态非均匀背底的叠加。2)如果ω'到ω的概率仅与|ω’-ω|有关,非定域峰随时间变宽。作为一个例子,我们讨论了频率受多个独立随机电报过程调制的系统中的光谱扩散。     

ZBLAN玻璃中三价铒离子 2H11/2,4S3/2辐射跃迁的量子效率

为了探讨铒离子掺杂材料的激光制冷可能性, 依据测量样品的吸收光谱, 计算了Er3 掺杂的ZBLAN玻璃材料的Judd-Ofelt参数, 得到Ω2=3.01×10-20 cm2, Ω4=1.59×10-20 cm2, Ω6=1.03×10-20 cm2, 进而获得了2H11/2, 4S3/2及其以下各能级间跃迁的跃迁几率、分支比、寿命等数据. 测量了77 K到315 K温度范围内Er3 较强的两个绿色发射2H11/2, 4S3/2→4I15/2的发射谱及荧光寿命. 讨论了2H11/2, 4S3/2这样处于热平衡中的两个能级的量子效率的计算方法, 进而计算了它们的量子效率, 并与其它材料进行了比较.     

Eu（MBA）2NO3Phen配合物的发光光谱

在７７Ｋ测定了Ｅｕ（ｏ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ和Ｅｕ（ｍ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ配合物的激发光谱，发光光谱和时间分辨光谱。光谱数据说明由于邻甲基的位阻影响，在Ｅｕ（ｏ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ配合物里存在化学环境稍有不同的两种Ｅｕ￣（３＋）格位，它们的局部对称性分别为ｃ＿２ｖ和ｃ＿１，ｃ＿２或ｃ＿ｓ。在Ｅｕ（ｍ－ＭＢＡ）＿２ＮＯ＿３Ｐｈｅｎ配合物里，仅存在一种Ｅｕ￣（３＋）格位，它类似于前一个配合物的ｃ＿２ｖ对称性的Ｅｕ￣（３＋）格位。     

磁控溅射制备ZnO薄膜的受激发射特性的研究

用射频磁控反应溅射法在二氧化硅衬底上制备ZnO薄膜。得到了在不同温度下ZnO薄膜的吸收与光致发光。观测到了纵光学波 (LO)声子吸收峰与自由激子吸收峰 ;室温 (30 0K)下 ,PL谱中仅有自由激子发光峰。这些结果证实了ZnO薄膜具有较高的质量。探讨了变温ZnO薄膜的发光特性。研究了ZnO薄膜的受激发射特性。     

直流场致发光电视的灰度控制

1.前言 为了实现墙壁电视,很多单位正在研制用矩阵屏显示电视图象的装置,同时正在研究主要问题之一——灰度级的显示方法。 虽然矩阵屏的亮度控制有模拟信号法和数字信号法,但从装置的毫无调整、工作稳定和集成化(小形、低功耗)等方面看,数字方法是适当的。作者们以前试验了用加权的数个亮度控制脉冲来控制电视图象显示器的亮度~1)、~2),这方面,别人也发表了几个实例~3)、~4)~5)。但是因为作成实际的显示装置时要求电路结构简单,所以灰度级不能过多,因此必须探讨不只是灰度级多,而