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1.
在硅酸铋(Bi12SiO20,BSO)晶体中掺入少量Fe2O3,生长出Fe:BSO晶体,由于Fe杂质在BSO晶体禁带中造成了一些缺陷能级,使得晶体的衍射效率和四波混频位相共轭反射率等光折变性能指标有较大提高。文中根据吸收光谱,初步确定了晶体中缺陷能级。  相似文献   
2.
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3~ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .  相似文献   
3.
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