基于镜像焦面检测对准标记的套刻性能原位测量技术

套刻性能是现代高精度步进扫描投影光刻机的重要性能指标之一。提出了一种基于镜像焦面检测对准标记(简称“镜像焦面检测对准标记”)的光刻机套刻性能原位测量技术。该技术通过对曝光在硅片上的镜像焦面检测对准标记图形进行光学对准,利用标记图形对准位置与理想位置偏差实现套刻性能的原位检测。实验结果表明该技术在进行套刻误差的精确测量的同时还可以全面、定量地计算影响光刻机单机套刻误差的场内参量及场间参量。与目前套刻性能原位测量技术相比,该技术有效地避免了测量精度对轴向像质限制的依赖,简化了光刻机整机性能检测的过程。     

藏药材铁棒锤的微量元素含量分析

目的研究藏药材铁棒锤的微量元素含量。方法使用电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)测定藏药材铁棒锤药材中As、Hg、Pb、Cd含量,使用原子吸收光谱仪(火焰法、石墨炉法)测定药材中Zn、Mn、Cr、Fe、Ca、K、Cu元素的含量并进行分析。结果铁棒锤中有害元素As、Hg、Pb、Cd含量较低,Cu、Fe等有益元素含量较高。结论藏药材铁棒锤有丰富的微量元素,具有较高的开发利用价值。     

基于套刻误差测试标记的彗差检测技术

为了满足光刻机投影物镜彗差测量精度的要求,提出一种基于套刻误差测试标记的彗差检测技术,分析了彗差对套刻误差测试标记空间像的影响,详细叙述了该技术的测量原理,并利用PROLITH光刻仿真软件对不同数值孔径与部分相干因子设置下套刻误差相对于彗差的灵敏度系数进行了仿真实验。结果表明,与目前国际上通常使用的投影物镜彗差检测技术相比,该技术在传统照明条件下灵敏度系数Kz7与Kz14的变化范围分别增加了27.5%和34.3%,而在环形照明条件下则分别增加了20.4%和22.1%,因此彗差的测量精度可提高20%以上。     

纳米金增强低温等离子体离子化质谱快速检测苯胺

低温等离子体(Low-temperature plasma,LTP)作为敞开式离子源满足环境检测要求的样品原位、快速检测,然而水体的基体效应使得检测灵敏度不足。该文将金纳米颗粒溅射于针灸针表面后,结合低温等离子体离子源进行检测,实现了质谱信号的增强效应,可以快速灵敏检测水体中的苯胺。结果表明,相比于无纳米金修饰的针尖,苯胺检测信号强度增强了43倍,且具有较低的背景噪音。苯胺的质量浓度与质谱信号强度在1~50μg/L范围内呈线性关系,检出限(LOD)为0.64μg/L,每个样品检测时间约为1 min。该方法简单易操作,结合便携式质谱有望用于环境水体及突发性水源污染事件中苯胺的检测。     

基于双线空间像线宽不对称度的彗差测量技术

在高数值孔径、低工艺因子的光刻技术中,投影物镜彗差对光刻质量的影响变得越来越突出,因而需要一种快速、高精度的彗差原位测量技术。为此提出了一种新的基于双线空间像线宽不对称度的彗差测量技术,利用国际上公认的半导体行业光刻仿真软件PROLITH对该方法的测量精度进行了仿真分析。结果表明,与基于硅片曝光的彗差测量方法相比,基于空间像的彗差测量技术速度上的优势十分明显。其测量精度优于1.4 nm,较国际前沿的多照明设置空间像测量技术(TAMIS)提高30%以上,测量速度提高1/3左右。在ASML公司的PAS5500型步进扫描投影光刻机上,多次测量了投影物镜彗差,结果表明,该技术测量重复精度优于1.2 nm,能实现高精度的彗差原位测量。     

一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术

提出一种步进扫描投影光刻机承片台不平度检测新技术。在晶圆与承片台存在不同偏移量时,利用线性差分传感器在线测量晶圆上不同点的局部高度;通过建立临时边界条件,以递推法消除晶圆面形影响,并逐行计算出承片台的相对不平度;通过逐行计算的结果递推相邻行之间的高度差,并将该高度差叠加到每一行,以消除临时边界条件的限制,得到处于同一高度上的承片台不平度;将计算的结果作为初始值,根据最小二乘原理,以邻近的四个测量点作为参考,逐步逼近得到承片台的真实不平度。计算机仿真结果验证了该检测方法的正确性,计算结果逐步收敛并逼近真实值.实验结果表明,该方法的计算结果较好地表示了承片台的真实不平度,重复精度优于0.3 nm;同时该方法也可用于晶圆表面面形的测量。