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利用脉冲激光溅射(PLD)和分子束外延(MBE)方法制备了超薄膜系统 Co/Pd/Cu(100).脉冲激 光溅射生长的单原子Pd层呈现了很好的二维生长模式.在这个Pd表面上,分子束外延生长的C o层直至12个原子层都表现了层-层生长模式.利用俄歇电子谱(AES)和低能电子衍射(LEED)研 究了该系统的表面结构.利用低温磁光克效应(MOKE)研究了系统的磁学性质.结构研究表明, Co层由于面内晶格失配应力而具有一个四方正交结构;与对比样品Co/Cu(100)的比较研究说 明Pd层的存在强烈地改善了Co膜的起始生长模式和结构.磁光克效应测量表明,Pd层的存在 改变了Co层的磁学性质.
关键词:
薄膜的磁性质
组织与形貌
界面磁性 相似文献
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采用经碱熔融-离心提取处理后的粉煤灰为原料,经水热反应研究两步法合成高纯度ZSM-5型沸石的过程,探讨了碱灰比、焙烧温度对硅铝溶出量的影响,研究了碱度、晶化时间、晶化温度与硅铝比对合成ZSM-5型沸石的影响.结果表明:碱灰比为2.3∶1,焙烧温度为680 ℃时可获得最高的硅铝溶出量;当SiO2/Na2O =7(摩尔比),SiO2/Al2O3=45(摩尔比),晶化时间为68 h,晶化温度为180 ℃时可获得高纯度的ZSM-5型沸石. 相似文献
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Zn2+掺杂对TiO2相变温度和晶粒尺寸的影响 总被引:1,自引:1,他引:0
采用溶胶-凝胶法制备了不同含量Zn2+掺杂的氧化钛粉体,利用TG-DTA、XRD测试技术检测了锌离子掺杂对锐钛矿和金红石相变及其晶体尺度的影响.试验结果表明,锌离子的掺入抑制了锐钛矿和金红石的相变,使相变温度提高,而且显著阻碍晶体的生长,从而获得纳米晶体. 相似文献
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稀土掺杂氧化钛基材料的相变及其湿度-电阻关系 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作采用溶胶-凝胶工艺制备了La3 和Ce4 掺杂的TiO2-SnO2复合粉体,利用X-衍射仪对该粉体的相组成进行了分析,并对组装的湿敏薄膜元件进行了湿度-电阻关系的测试。结果表明,在500℃烧结,La3 和Ce4 掺杂对锐钛矿向金红石的转变起到先促进后阻碍的作用;600℃烧结,La3 和Ce4 掺杂抑制了锐钛矿向金红石的转变,La3 、Ce4 的加入降低了锐钛矿和金红石的晶体尺寸,同时降低了薄膜材料的电阻,使湿度-电阻关系呈现较好的线性度。La3 的作用最强,且促进了SnO2晶体的形成。 相似文献
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AEO-9体系溶致液晶性能及其组成方程 总被引:8,自引:0,他引:8
以非离子表面活性剂十二烷基醇聚氧乙烯醚(AEO-9)/正丁醇/正辛烷/水组成的四元体系为研究对象,绘制了拟三元相图。在液晶区选取样品点,拍摄纹理照片,并结合^2HNMR谱图确定了液晶类型其中主要是状液晶。利用小角X射线衍射测定了层状液晶的层间距d,得到层间距d和液晶含水量的关系。根据层状液晶结构的特点,推导出层状液晶组成方程,并对本体系进行了验证。结果表明,根据议程计算出的液晶区域的开头和位置与实验测得的相图中液晶的开头和位置基本相同,为实际应用提供了依据。 相似文献
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