开关结构对a-SiTFT-LCD光学特性的影响

分析非晶硅薄膜晶体管在a-SiTFT-LCD中的开关特性，讨论这种开关结构中的主要功能膜材料尺寸与性能参量、光刻制备工艺，存储电容以及栅脉冲延迟效应等对a-SiTFT-LCD的通断电流比，信号响应与保持特性，图像亮度与对比度等光学特性的影响。     

液晶SmC*相自发极化的统计理论

采用格胞模型，定义在格胞中心上的极化序参量．选用双轴性并具有横向电矩的分子作用势，求得系统的自由能，得到自发极化强度的大小和螺旋变化螺距的表达式．计算了DOBAMBC和3M2CPOOB等4种典型SmC^*相液晶的自发极化强度大小和螺距随温度的变化及其受分子横向电矩的影响，结果与实验相符．表明SmC^*相的自发极化强度主要产生于分子的双轴性和横向电矩． 关键词：     

液晶SmC*相螺旋结构的统计理论

采用格胞模型,定义在格胞中心上的分子取向序参量、质心位置序参量和两者耦合序参量。选用双轴性并有横向电偶极矩的分子的作用两体势,求出系统的自由能,对自由能求变分得到指向矢满足的微分方程,由此方程得到SmC^*相指向矢与分子层面法线倾斜,并沿该法线作螺旋式变化,求得倾斜角和螺距的近似表示式,计算了DOBAMBC等三种典型SmC^*相液晶的倾斜角和螺距随温度的变化,结果与实验相符。     

光纤瓦斯传感系统的研制

利用光电检测理论和波分复用技术，研制出安全型光纤瓦斯传感器。系统传感头利用CH4气体在1.331μm处的谐波吸收谱工作。系统采用双波长差分吸收的工作方式，其参考波长为1.27μm，消除了非光吸收的其他散射和微扰等影响。由微机用软件控制12位A／D／A转换卡进行数据采集与处理，系统分辨率达0.001％，实现了实时显示。该系统不仅能对瓦斯气体进行准确检测，而且由于采用了光学测量的方式，所以既安全又可靠，不仅可以应用于煤矿矿井内的瓦斯气体含量的实时测量，还可以实现远程监控。     

铁电液晶缺陷光子晶体调谐滤波器的设计

将铁电液晶作为缺陷层引入一维光子晶体中,用电场改变液晶分子的取向,形成光子晶体快速可调谐滤波器.用传输矩阵法研究了铁电液晶缺陷光子晶体的可调谐滤波特性,计算了电压和液晶材料参量对滤波器透射谱的影响.结果表明:改变电压能容易改变光子晶体滤波器透射峰的位置、强度、个数和带宽,实现良好的调谐滤波功能.     

液晶近晶C相双轴特性的统计理论

采用格胞模型,定义了分子取向序参量、双轴序参量、质心位置序参量以及取向与质心位置耦合序参量.由自由能极小求得指向矢倾斜角与双轴序参量间的关系.对典型Sc相液晶物质TBBA,TBSA和NOBA的双轴序参量随温度的变化以及取向序参量和倾斜角对双轴序参量的影响作了数值计算,并与实验结果进行比较.表明这种双轴特性主要产生于Sc相的指向矢倾斜结构和分子取向的有序性. 关键词：     

温度对液晶填充光子晶体光纤传输特性的影响

利用液晶的折射率是温度和波长函数的特性,在光子晶体光纤(PCF)芯区的空气柱中填充向列相液晶,通过改变温度来改变液晶的折射率,构成了一种温度凋制光子晶体光纤.用阶跃有效折射率模型研究了温度对这种光子晶体光纤在不同光波长时传输特性的影响,并进行了数值计算.结果表明液晶填充使光子晶体光纤的色散减小,由于折射率对温度和波长变化敏感,改变温度可以使光纤在长波长区域出现单模传输,在短波长时不会出现单模传输,即使包层相对孔径很小也不会出现无截止单模传输.温度升高使光纤的色散值增大,零色散波长向短波长方向移动.这些特性对温度调制光子晶体光纤器件的设计和应用具有一定的参考意义.     

液晶SmC■相的螺距与手征中心分布

选用双轴性并含有多个手征中心的分子作用势，引入手征中心分布结构因子ζχ，采用格胞模型，求得液晶ＳｍＣ相的螺距表达式和螺旋性反转条件．计算了ＴＤＯＢＡＭＢＣＣ，ＦＬＣ，ＰＡＣＭＢ和Ｈ６／１０等４种典型ＳｍＣ相液晶的螺距随温度的变化及其受ζχ的影响．结果与实验相符．     

静电场对SmC^＊相液晶作用的计算研究

采用自洽模拟方法,计算研究了分子层面内的静电场对ＳｍＣ＾＊相液晶螺旋结构和铁电特性的影响。结果表明,ＳｍＣ＾＊相液晶的螺距和极化强度平均值随场强增大而增大,且越接近阈值电场增大真快;指向矢倾斜角和分子取向序参量随场强增大而缓慢增大;阈值电场与液晶的本征螺距和自发极化强度有关,并随温度升高而减小。     

液晶SmC*相的螺距与手征中心分布

选用双轴性并含有多个手征中心的分子作用势，引入手征中心分布结构因子ζ_χ，采用格胞模型，求得液晶SmC^*相的螺距表达式和螺旋性反转条件.计算了TDOBAMBCC,FLC,PACMB和H6/10等4种典型SmC相液晶的螺距随温度的变化及其受ζ_χ的影响.结果与实验相符. 关键词：