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扫频式干扰是调频体制引信的主要威胁之一,但其干扰效果具有一定随机性。为了提高其干扰效率,在理论分析扫频式干扰作用下调频引信失效机理的基础上,提出了一种针对单通道调频多普勒引信的窄带扫频式干扰优化方法,可以获取最优的扫频频率步进点数,并依此进行非等间隔频率步进的窄带扫频式干扰。仿真与实测结果表明,该方法可以提高扫频式干扰的干扰效率,同时该方法也可以为成功干扰采用多通道等抗干扰措施的调频引信提供理论设计依据。  相似文献   
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Mg2SnO4具有典型的反尖晶石结构,由于存在大量缺陷,非常适合作为长余辉材料的基质材料,而且其成本低,结构稳定光学性能优异,应用前景非常广泛。通过在反尖晶石结构的Mg2SnO4材料中掺杂不同离子可以制备出不同性质的长余辉材料。本文主要介绍了Mg2SnO4系长余辉材料的常用的制备工艺方法和发光机理,从离子掺杂的角度分析其性能,并对反尖晶石结构的Mg2SnO4系长余辉材料在防伪、信息存储、成像等方面的应用现状进行了综述和展望。  相似文献   
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