表面增强电输运:研究C60-金属相互作用的一个新尝试

通过在超薄金属层上蒸镀C_(68)时的电阻原位测量,发现在平均厚度约一个C_(68)单层范围内样品电阻有明显可观测的变化,主要表现为电导增强,电阻变化的程度与金属层厚度有关,最多近一个数量级。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究C_(68)-金属界面相互作用,从而对常规喇曼谱和各种电子谱测量的结果给出旁证和补充。 关键词：     

Sn-C_(60)多层膜电阻的奇异变化

通过对 Sn-C_(60)多层膜电阻的原位观测,我们发现在 Sn 层上沉积 C_(60)时,样品电阻会有大幅度的下降.我们认为,Sn 与 C_(60)之间存在某种键合相互作用.     

Rb3C60超导薄膜的电输运性质

在成功制备Ｃ６０外延薄膜的基础上，我们又尝试了碱金属Ｒｂ对该膜的掺杂。结果表明，从室温至８０Ｋ左右，Ｒｂ３Ｃ６０薄膜的电阻温度系数大于０，并近似符合公式：ρ（Ｔ）＝ａ＋ｂＴ＾２，与单晶样品一致。但是，当温度低于８０Ｋ以后，出现了弱的对数局域。在５Ｋ、零场下，样品的Ｊｃ值一般为１０＾３－１０＾４Ａ／ｃｍ＾２，且有如下规律：Ｊｃ（Ｔ）＝Ｊｃ（０）（１－Ｔ／Ｔｃ）＾ａ，α＝１．３－２．０。此外，我们还测     

Ce—C60多层膜电阻的奇异化

通过对Ｃｅ－Ｃ６０多层膜电阻的原位观测，我们发现在Ｃｅ层上沉积Ｃ６０时，样品电阻有明显上升。这与以往研究过的其它多金属（如Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ等）－Ｃ６０体系的结果有很大差异。我们认为稀土元素Ｃｅ与Ｃ６０间可能有某种新类型的相互作用。     

碱金属掺杂C_(60)超导外延薄膜的制备及其电输运性质

C60是近年来发现的碳的第三种稳定的同素异形体,由于其种种独特的性质.如奇异的键合行为、中空的对称件,特别是碱金属掺杂后所显示出的超导电性,被美国权威的《科学》杂志评为1991年的年度分子[1].碱金属掺杂C60的超导相为A3C60(A=K,Rb,Cs或它们的混合),具有面心立方结构,其超导临界转变温度(Tc)最高可达33K,由于它是一种三维各向同性的第二类非理想超导体,作为一种新型功能材料,对它进行深入的分析研究将是十分有价值的. 我国的C60研究起步虽晚,但在很短的时间内就制备出了C60并在掺杂C60超导体、C60的非线性光学、C60的结构相变等领…     

C60外延薄膜的生长

我们研究了各种淀积参数（衬底温度，沉积速度和薄膜厚度）对Ｃ６０薄膜在云母及ＮａＣｌ衬底上成膜的影响，并在云母（００１）新鲜解理面上成功地制备出了高质量的Ｃ６０外延薄膜，此外，我们还对Ｃ６０薄膜可能的生长过程，薄膜与衬底的取向关系及其缺陷结构进行了一定的讨论。     

Ce－C_（60）多层膜电阻的奇异化

通过对Ｃｅ－Ｃ（６０）多层膜电阻的原位观测，我们发现在Ｃｅ层上沉积Ｃ（６０）时，样品电阻有明显上升．这与以往研究过的其它金属（如Ｓｎ，Ａｇ，Ｃｕ等）－Ｃ（６０）体系的结果有很大差异．我们认为稀土元素Ｃｅ与Ｃ（６０）间可能有某种新类型的相互作用．