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Influence of Triangle Structure Defect on the Carrier Lifetime of the 4H-SiC Ultra-Thick Epilayer 下载免费PDF全文
Effect of triangle structure defects in a 180-μm-thick as-grown n-type 4H-SiC homoepitaxial layer on the carrier lifetime is quantitatively analyzed, which is grown by a horizontal hot-wall chemical vapor deposition reactor.By microwave photoconductivity decay lifetime measurements and photoluminescence measurements, the results show that the average carrier lifetime of as-grown epilayer across the whole wafer is 2.59μs, while it is no more than 1.34μs near a triangle defect(TD). The scanning transmission electron microscope results show that the triangle structure defects have originated from 3C-SiC polytype and various types of as-grown stacking faults.Compared with the as-grown stacking faults, the 3C-SiC polytype has a great impact on the lifetime. The reduction of TD is essential to increasing the carrier lifetime of the as-grown thick epilayer. 相似文献
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油溶性二正辛基二硫代氨基甲酸铈的合成及其摩擦化学特性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以二正辛胺、Ce2O3和CS2为原料合成出一种新型油溶性润滑油极压抗磨添加剂二正辛基二硫代氨基甲酸铈(Ⅲ),并在环-块式摩擦磨损试验机和四球试验机上,测定了它的减摩性能、承载能力和抗磨性能等,同时还就其添加量对这些性能的影响进行了考察;利用俄歇电子能谱仪和X射线光电子能谱仪,对边界润滑状态下形成的摩擦表面膜的元素组成和化学状态进行了分析.结果表明:在给定的试验条件下,这种添加剂可以使ISOVG32石蜡基矿物油的摩擦系数明显降低,能够使这种油的初始卡咬负荷和烧结负荷分别提高2.2倍和4.7倍,可见其减摩和抗磨性能良好;在这种添加剂作用下形成的表面层内含有有机物膜、氧化物膜、化学反应膜和Ce3+渗透层等,这是摩擦化学作用的产物 相似文献
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利用水平式低压热壁CVD (LP-HW-CVD) 生长系统,台阶控制生长和衬底旋转等优化技术,在偏晶向的4H-SiC Si(0001) 晶面衬底上进行4H-SiC同质外延生长,生长温度和压力分别为1550℃和104 Pa,用高纯N2作为n型掺杂剂的4H-SiC原位掺杂技术,生长速率控制在5μm/h左右.采用扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和Hg/4H-SiC肖特基结构对同质外延表面形貌、厚度、掺杂浓度以及均匀性进行了测试.实验结果表明,4H-SiC同质外延在表面无明显缺陷,厚度均匀性1.74%, 1.99% 和1.32%(σ/mean),掺杂浓度均匀性为3.37%,2.39%和2.01%.同种工艺条件下,样品间的厚度和掺杂浓度误差为1.54%和3.63%,有很好的工艺可靠性.
关键词:
4H-SiC
同质外延生长
水平热壁CVD
均匀性 相似文献
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酯基功能化离子液体作为钢/钢摩擦副润滑剂的摩擦学性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
合成了含酯基官能团的咪唑类离子液体;研究了其物化性质及热稳定性;通过与非功能化的烷基咪唑离子液体对比,在SRV摩擦磨损试验机上研究了常温及高温条件下酯基功能化离子液体作为钢/钢摩擦副润滑剂的摩擦学性能;用SEM和XPS对磨斑表面进行了分析.结果表明:酯基功能化离子液体具有很高的热稳定性;酯基团的引入使得离子液体的黏度有所增加,导致其在较低载荷下的减摩性能降低,但引入的酯基官能团增强了离子液体对金属表面的化学吸附力,使其抗磨性能显著提高,在高载荷下离子液体分解所产生的活性元素氟与摩擦副表面的金属发生摩擦化学反应,生成以氟化亚铁和氧化铁为主体的边界润滑膜,从而降低了摩擦和磨损.同时发现含有TF2N-阴离子的功能化离子液体较含有BF-4阴离子的功能化离子液体具有更好的抗磨性能;含有较长N-烷基链的功能化离子液体的抗磨减摩性能较好. 相似文献
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由N,N-二甲氨甲基二茂铁(I)单锂化后与三甲基氯硅烷(Me3SiCl)反应,合成了2-(三甲硅基)二甲氨甲基二茂铁(Ⅱ);Ⅱ再单锂化后与Me3SiCl反应得到了2,5-二(三甲硅基)二甲氨甲基二茂铁(Ⅲ);单锂化的I与Me2SiCl2反是得到了双-(2-(二甲氨甲基)二茂铁基)二甲基硅烷(Ⅳ)双锂化I与二倍量的Me3SiCl反应得到了2,1′-二(三甲硅基)二甲氨甲基二茂铁(V),由碘化(2-( 相似文献
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负载型的金属催化剂虽然分离方便,但在反应活性、选择性以及催化剂的结构表征方面均明显不如相应的均相催化剂。将均相催化剂通过不同的化学键固载于高比表面积载体是实现均相催化剂多相化的重要途径,这样可使催化剂兼具均相和多相催化剂的优势。然而要将均相催化剂锚定于特定载体上,通常涉及较为复杂的合成反应,对载体也有严格的要求。因而该法仅仅适用于实验室研究,难以实现规模生产。因此,提供一种简便有效地制备兼具均相和多相催化剂优势的催化剂合成方法非常必要。本文报道一种简便的制备聚乙炔纳米颗粒负载Pd(II)催化剂(NP-Pd(II))的方法,所制催化剂在水相中的Suzuki-Miyaura偶联反应中表现出极高的活性,同时具有便于分离、容易放大制备的特点。在室温下,将乙炔气通入PdCl42-的水溶液中迅速变得浑浊,静置后容器底部有棕色沉淀,同时溶液变为无色透明。固体产物使用水、乙醇等溶剂进行洗涤;干燥之后收集既得聚乙炔纳米颗粒负载的Pd(II)催化剂NP-Pd(II)。使用透射电子显微镜、红外(IR)及拉曼吸收光谱、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)以及X射线吸收光谱(EXAFS)等手段对NP-Pd(II)进行了详细表征。结果显示,在NP-Pd(II)中Pd并非以Pd纳米颗粒形式存在; XRD中没有未Pd纳米晶的特征衍射峰。 IR等表征证明乙炔在Pd的催化作用下发生聚合作用,生成了聚乙炔。 EXAFS结果表明, Pd分别和氯原子以及C=C双键进行配位;同时,没有观察到Pd–Pd键的生成,进一步证明了Pd未被还原为Pd纳米颗粒。 XPS也印证了Pd(II)的价态。形貌上, NP-Pd(II)为直径2–3nm的颗粒,其中的Pd原子均匀分散于聚乙炔纳米颗粒上,使其在反应过程中能够充分地与底物接触,从而在Suzuki-Miyaura偶联反应中表现出极高的活性。更重要的是,由于“憎水效应”, NP-Pd(II)在溶液中以微米级的聚集体形式存在,因而反应后通过离心或者静置从反应体系中分离出来。因此,在NP-Pd(II)催化剂中,每个Pd原子都是潜在的活性中心,这与典型的均相催化剂相似;同时,其独特的形貌使其具备了多相催化剂便于分离的特点。因此, NP-Pd(II)是一种兼具均相和多相催化剂优点的催化剂且其催化剂的制备方法极为简便。乙炔是常用的工业气体,溶剂采用水,制备在室温下即可完成,我们也成功地制备出克级规模的高活性、稳定性的NP-Pd(II)催化剂。 相似文献
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Investigation of 4H—SiC metal—insulation—semiconductor structure with Al2O3/SiO2 stacked dielectric 下载免费PDF全文
Atomic layer deposited (ALD) Al2O3/dry-oxidized ultrathin SiO2 films as high-k gate dielectric grown on the 8° off-axis 4H-SiC (0001) epitaxial wafers are investigated in this paper. The metal-insulation-semiconductor (MIS) capacitors, respectively with different gate dielectric stacks (Al2O3/SiO2, Al2O3, and SiO2) are fabricated and compared with each other. The I-V measurements show that the Al2O3/SiO2 stack has a high breakdown field ( ≥ 12 MV/cm) comparable to SiO2, and a relatively low gate leakage current of 1× 10-7 A/cm2 at electric field of 4 MV/cm comparable to Al2O3. The 1-MHz high frequency C-V measurements exhibit that the Al2O3/SiO2 stack has a smaller positive flat-band voltage shift and hysteresis voltage, indicating less effective charge and slow-trap density near the interface. 相似文献