Si{111}晶面粒子堵塞坑的新现象

本文报道了从粒子背散射堵塞效应的实验中所发现的单晶Si的{111}晶面粒子堵塞坑的新现象。单晶Si的{111}晶面有两个面间距d_{(111)^(a)和d(111)^(b),而{110}晶面只有一个面间距d(110)。由此导致两者的堵塞坑是不同的,我们已从α粒子和质子的Si单晶堵塞效应的实验得到了证实。并由此估计了d(111)^(a)和d(111)^(b)以及d(110)的2ψ1/2角。据作者了解,到目前为止,国内外还没有人发现此现象。此现象的发现对复杂晶体的堵塞和沟道效应的研究开阔了前景。 关键词：}     

Si,GaAs和LiNbO3单晶的堵塞效应

我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO₃单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ_1/2值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ_1/2值。 关键词：     

ICP-AES法测定铜合金中七种元素

铜及铜合金已广泛应用于电子、冶金和制造等行业的各个领域,成分分析是控制其品质的主要手段之一.目前国家标准测定方法为单一元素的化学分析法,操作步骤繁琐,分析周期长.本文采用电感耦合等离子体发射光谱法[1]同时测定铜合金中锌等7种元素,可以不经基体分离,直接测定, 简化了操作步骤,缩短了分析时间,结果令人满意.     

Si,GaAs和LiNbO_3单晶的堵塞效应

我们利用背散射方法得到Si,GaAs和LiNbO_3单晶堵塞图,以及GaAs单晶{110},{100}和{112}面堵塞半角ψ_(1/2)值.并得到因离子注入受损伤Si片{110}面堵塞坑深度随注入剂量增加而变浅的结果。作为对实验装置和方法的检验,我们也得到了Si单晶堵塞图和测量了Si单晶{110},{111}和{100}晶面堵塞半角ψ_(1/2)值。     

CdTe量子点的室温激子自旋弛豫动力学

利用交叉偏振三阶非线性瞬态光栅技术,研究了室温下CdTe胶体量子点激子自旋弛豫动力学的尺寸效应.在抽运-探测光子能量与CdTe量子点的最低激子吸收(1Se—1Sh)跃迁相共振时,量子点激子自旋弛豫显示了时间常数为0.1—0.5 ps的单指数衰减行为.CdTe量子点激子自旋的快速弛豫源于亮暗激子精细结构态跃迁,即J=±1←→■2跃迁.激子自旋弛豫主要由空穴的自旋翻转过程决定.研究结果表明:CdTe量子点激子自旋弛豫速率与量子点尺寸的4次方成反比.     

高能量分辨率的平面晶体位置灵敏谱仪

平面晶体波长色散位置灵敏谱仪是一新型高能量分辨率的X射线分析装置,可用于高能量分辨的元素分析、化学态及原子物理等研究中.这里简要介绍所研制的位置灵敏谱仪装置及其性能,以及位置灵敏谱仪与其核心部件──位置灵敏正比计数器的基本原理.所研制位置灵敏谱仪对55Fe,Ti和Si所达到的能量分辨率(FWHM)分别为25eV,15eV及7eV.因此,它将可以用作高分辨的元素分析.