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采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法,研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面,并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键,Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少,直径小-
关键词: 相似文献
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利用原子力显微镜(AFM)和光致荧光(PL)光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究.表面和侧面的AFM结果表明,多孔硅表面呈“小山”状,有许多小的、突出的硅颗粒.在相同的腐蚀条件(等效)下,脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出,侧面的线状结构更明显,多孔硅层更厚.对应的PL谱,脉冲腐蚀的样品发光更强.量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果
关键词: 相似文献
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