直流磁控溅射厚度对Cu(Inx,Ga1-x)Se2背接触Mo薄膜性能的影响

采用直流磁控溅射工艺, 在一定条件下通过控制溅射时间, 在钠钙玻璃上制备了不同厚度的用于Cu(In_x, Ga_1-x)Se₂薄膜太阳电池背接触材料的Mo薄膜, 并利用X射线衍射 (XRD)、场发射扫描电子显微镜 (SEM)、四探针测试仪、台阶仪研究了厚度对溅射时间、薄膜微结构、电学性能及力学性能的交互影响. Mo薄膜的厚度与溅射时间呈线性递增关系; 随厚度的增大, Mo薄膜 (110) 和 (211) 面峰强均逐渐增大, 择优生长从(110)方向逐渐向 (211)方向转变, 方块电阻值只随 (110) 方向上的生长而急剧减小直到一特定值约2 Ω/⇑, 电导率随薄膜的 (110) 择优取向程度的降低而线性减小直到一特定值约0.96×10^-4 Ω·cm; Mo薄膜内部是一种多孔的长形簇状颗粒和颗粒间隙交织的结构, 并处于拉应力态, 其内部应变随薄膜厚度的增大而减小. 关键词： Mo薄膜 CIGS背接触 厚度 微结构     

不同磺化度下的磺化聚醚醚酮对全钒储能液流电池性质影响的研究

本文报道了采用浓硫酸作为磺化剂,成功合成了不同磺化度下的聚醚醚酮(PEEK)膜,并深入研究了磺化条件包括磺化时间和磺化剂的用量对所获薄膜性能的影响,获得了在不同磺化度（DS）下SPPEK膜的离子交换容,含水率,机械性能,质子电导率等参数,特别测定了在全钒液流电池工作条件下钒离子(Ⅳ)渗透率,首次为该类液流储能电池使用价廉质优的质子交换膜提供了基础实验数据。室温条件下的实验结果如下：1）磺化12小时后,膜的磺化度46%,含水量为28%,钒离子(Ⅳ)选择性最佳（钒离子渗透率为1.2×10-7 cm2/min-1,是Nafion117 (2.9×10-6 cm2/min-1)的1/24）,其质子电导率只有0.02 S/cm;2）磺化96小时其磺化度达79%的膜,质子电导率达0.16 S/cm,是Nafion117 (0.10S/cm) 的1.6倍, 但其机械性能最差;3）与Nafion117膜相比,磺化在36到48小时的SPPEK膜其机械力学性能好,薄膜的钒离子渗透率、离子交换容IEC、质子导电率和含水率高,且对钒离子的选择性佳,尤其价格仅为Nafion膜的1/13,是理想的Nafion膜的代替物,可望直接应用于全钒氧化还原液流（VRB）电池中。本文还讨论了磺化时间和不同磺化剂量对膜的性质的影响。     

电沉积WO_3薄膜及其光电性能的表征

本文采用电化学法制备了均匀、附着力强的WO3薄膜,研究了不同沉积电位和不同的沉积时间对薄膜的光电性能影响,并使用了XRD,UV-vis,M-S,光电流光谱(IPCE)等分析表征手段对薄膜进行了表征。实验结果表明,所制得的WO3薄膜为单斜晶系,退火后沿(200)晶面择优生长;对比所有沉积电位,-0.45 V沉积电位(vs.SCE)所获得的WO3薄膜均匀致密,薄膜的带边在460 nm(≈2.7 eV),其光电转换性能最好;在实验范围内薄膜越厚,其光电转换性能越好。     

掺Ti和未掺Ti的α-Fe_2O_3薄膜光电性质的研究

本文采用旋涂法制备了掺Ti和未掺Ti的Fe2O3薄膜,并对其薄膜的结构和光电特性进行了系统测试分析。XRD结果证实掺Ti和未掺Ti的薄膜均为α-Fe2O3。SEM测试表明α-Fe2O3薄膜微观结构为纳米线结构,具有沟壑结构,粒径长度约为150nm,掺杂Ti使薄膜更均匀致密,晶体颗粒更小,比表面积更大。紫外-可见光谱实验发现了掺杂Ti使薄膜产生"蓝移",禁带宽度大,验证了SEM测试结果。IPCE实验结果结果说明了掺杂Ti的α-Fe2O3薄膜的光电性能大大好于未掺杂的薄膜。