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学科分类
数理化
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2012年
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1
1.
氩气退火对氢掺杂AZO薄膜电学性能的影响
总被引:3,自引:3,他引:0
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石素君
朱德亮
吕有明
曹培江
柳文军
贾芳
马晓翠
《发光学报》
2012,33(7):742-746
采用射频磁控溅射法,在石英玻璃衬底上制备出了性能良好的H掺杂AZO透明导电薄膜,通过XRD、Hall、UV-Vis等测试手段,研究了氩气气氛中退火温度对薄膜电学热稳定性的影响。实验结果显示,随着退火温度的升高,薄膜中载流子的浓度和迁移率下降。分析认为,这与薄膜中氢的逸出密切相关。
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