量子点器件的三端电测量研究

利用三端电测量方法，研究了调制掺杂二维电子气结构的量子点器件输运特性.报道了可分别测量二维电子气电阻和量子点隧穿电阻的实验方法.实验结果表明：量子点的横向耦合控制了量子点器件在小偏压下的电输运特性. 关键词： 自组装量子点 二维电子气 量子隧穿 肖特基接触     

Stable Electron Field Emission from CeO2 Nanowires by Hydrothermal Method

CeO2 nanowires are successful synthesized by hydrothermal method and their field emission （FE） properties are investigated. The turn-on electric field is 5.8 V/μm at an emitter-anode spacing of 700μm. The FE current is stable and the current fluctuations are less than 3% over 5 h. All the plotted Fowler-Nordheim curves yield straight lines, which are in agreement with the Fowler-Nordheim theory. The relationship between the field enhancement factor β and the emitter-anode spacing d follows a universal equation. Our results imply that the CeO2 nanowires are promising materials for fabricating FE cathodes.     

集成单电子晶体管的研究动态

随着微电子器件集成度的提高，芯片上的功能元件尺寸不断减小．国外（如日本东芝公司）已建立０－１μｍ生产线，国内也正研制０－３５μｍ的集成电路．但进一步减小功能元件尺寸的更高集成度的芯片的性能将因量子涨落和散热等问题而非常不稳定，解决这些问题的出路在于选择功耗低并能抑制多种涨落的单电子晶体管．单电子晶体管因它的体积小、无引线集成和极低的操作功率等特点，其高度集成化可远远超越目前大规模集成化的极限并达到海森伯不确定原理设定的极限，是将来不可被取代的新型器件．单电子晶体管由一个量子点和两个分别与源和漏耦…     

一种基于碳纳米管的随机存储器

利用碳纳米管之间范德瓦耳斯力,设计了一种基于碳纳米管的可读写的随机存储器,研究了系统的双稳性,讨论了存储器的优点和可行性,并得出系统具有良好存储效应所应满足的条件 关键词： 碳纳米管 范德瓦耳斯力 动态随机存储器     

3ω方法及其在纳米材料器件表征中的应用

阐明了3ω方法的机理，并在此基础上讨论了它的一些基本应用.利用3ω方法可以对具有优 良导热和导电能力的材料的热导率和热容进行测量；对不能导电的材料，固态的或液态的， 利用3ω方法能对它们的热导率进行测量.对测量中涉及到的热辐射问题的讨论表明，由于使 用的是小样品，热辐射造成的影响可以忽视.通过理论推导，使用二维隧穿结点阵并借助3ω 方法，可以给出一种性能良好的二维库仑阻塞测温法. 关键词： 3ω方法 热容（定压） 热导率 库仑阻塞     

单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件

传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制，由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件组成的多峰值负微分电阻器件在原理上具有无穷多个峰值，并且MOSFET使单电子晶体管(SET)的峰值和谷值电流大小受其源漏电压的影响减小.利用这种多峰值负微分电阻器件实现了多值存储器，该存储器原理上是无穷多值的.并且利用它的折叠的I-V特性，实现了一个4位的Flash A/D转换器，与传统的Flash A/D转换器相比，SET-MOSFET的A/D转换器大大地简化了电路. 关键词： 库仑阻塞 库仑振荡 负微分电阻 多值存储器     

含InAs自组装量子点肖特基二极管的关联放电效应

制作了含自组织量子点的金属半导体金属双肖特基势垒器件,研究了器件的电流输运特性.在量子点充放电造成的电流迟滞回路的基础上,观察到了电压扫描过程中的电流由低态到高态的跳跃现象.这种电流跳跃来源于充电量子点的关联放电效应.根据量子点系统的哈密顿量,分析了充电量子点关联放电的原因.这种关联放电效应起源于量子点与2DEG的相互作用,当一个量子点放电时通过量子点和2DEG电流的变化会影响其他的量子点,从而促使其放电,这种过程在整个系统中放大导致所有的量子点放电 关键词： 关联效应 自组装量子点     

用散粒噪声测量碳纳米管中Luttinger参数

将碳纳米管的载流子输运用基本电荷为ge的Fermi液态模型描述，利用散射理论计算出纳米管中的零频率散粒噪声，在绝对零度下，存在一个强势垒的碳纳米管的散粒噪声为2geI.提出了一种测试纳米管Luttinger参数的新方法：在纳米管上形成一个强势垒，通过测试其散粒噪声，就可以计算出g因子. 关键词： 碳纳米管 Luttinger参数 散粒噪声 散射理论     

宽量程微电流测量系统

宽量程微电流测量系统利用多增益前置放大器与可编程增益数据采集卡组成两级放大,通过PC机控制选择不同增益实现宽量程的测量,并对其噪声进行了仿真分析,提出了提高信噪比的措施.实验表明,该系统能对动态范围10-11~10-4A电流信号进行有效测量.     

InAs量子点在肖特基势垒二极管输运特性中的影响

在77到292K的范围内,系统研究了含InAs自组装量子点的金属-半导体-金属双肖特基势垒二极管的输运特性.随着温度上升,量子点的存储效应引起的电流回路逐渐减小.在测试温度范围内,通过量子点的共振隧穿过程在电流电压(I-V)曲线中造成台阶结构,且使电流回路随温度的上升急剧减小.根据肖特基势垒的反向I-V曲线,计算了势垒的反向饱和电流密度和平均理想因子.发现共振随穿效应使肖特基势垒在更大的程度上偏离了理想情况,而量子点的电子存储效应主要改变了肖特基势垒的有效势垒高度,从而影响了势垒的反向饱和电流密度 关键词： 自组装量子点 肖特基势垒 电流-电压特性