首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:从到   被引次数:从到   他引次数:从到 提示：输入*表示无穷大
全文获取类型
  收费全文   1篇
  免费   0篇
学科分类
数理化   1篇
出版年
  1981年   1篇
排序方式： 共有1条查询结果，搜索用时 31 毫秒
1
1.
本文报道了一种新的Ga1-xAlxAs液相外延方法.靠控制降温速度,可以在外延表面3-4μ处得到x值均匀甚至沿生长方向有上升趋势的外延层.其外延表面光亮、缺陷少、无机械损伤.由于上述过程都是在单一外延层上完成的,所以利用此方法可以大幅度降低成本,提高成品率.制成的器件在If=20mA时.总光通量一般为3-6mlum.予计效率还会进一步提高.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号