高压处理对BiSrCaCu2Oy超导电性的影响

 本文在高T_c超导体BiSrCaCu₂O_y常压制备的基础上，研究了热压烧结和冷压处理对其形成、结构及超导电性的影响，并与常压结果进行了比较。结果表明，高压可以使样品的合成时间缩短，合成温度降低。但同时它也抑制了晶格参数较大的相（高T_c相）的形成，使小晶格参数的杂相含量增多。对于提高样品的超导电性而言，1.5 GPa时一个较好的压力点。     

高温高压下CeTbO3合成过程中电阻的动态测试研究

 在0.5 GPa、4.0 GPa的压力下，从室温到800 ℃的温度范围内测量了氧化物CeTbO₃、单稀土氧化物Tb₄O₇、CeO₂和摩尔比维4∶1配比的混合物CeO₂+Tb₄O₇等的电阻随温度变化关系。对这四种物质均反映出电阻随温度增加而减小的半导体特征。在压力维0.5 GPa，温度高于600 ℃时发现了混合物CeO₂+Tb₄O₇、氧化物Tb₄O₇中电阻变化的起伏。X射线衍射谱表明，对应这一电阻变化，在结构上出现了变化。结果分析表明，这一变化与Tb⁴⁺→Tb³⁺的价态变化密切相联。     

稀土焦绿石化合物R2Fe4/3W2/3O7的高温高压稳定性研究和X射线相分析

 本文利用X射线粉末衍射和位敏探测技术，研究了R₂Fe_4/3W_2/3O₇（R=Er、Yb、Dy）化合物经高温高压处理后的变化情况。在3.7 GPa，1 200 ℃条件下，六方相R₂Fe_4/3W_2/3O₇化合物按两种方式分解，而直接由R₂O₃，Fe₂O₃和WO₃原料出发，经上述同样的高温高压条件合成所得的产物与六方相高温高压分解产物相同，均为R₂WO₆、RFeO₃、WO₃和Fe₂O₃的多相聚合物。同时给出了R₂Fe_4/3W_2/3O₇六方相高温高压下的稳定区范围。     

冷压与热压处理对YBa2Cu3O7-δ的结构相变和超导电性的影响

 本文研究了冷压（2.2~5.2 GPa）与热压（2.2 GPa,2.50~950 ℃）对YBa₂Cu₃O_7-δ的正交→四方相转变区和超导电性的影响。冷压保持其正交结构,但破坏了超导性,在98 K（失超点）到室温呈半导体特性,再在空气中烧结,可恢复液氮温区的零电阻状态。以Cu锅密封样品,热压处理至950 ℃,不发生Cu的析出。热压处理后,98 K（失超点）到室温呈半导体特性,再经通氧烧结,于86 K出现零电阻。热压处理过程,从450~950 ℃为正交→四方转变区。950 ℃为转变结束温度,大大高于氧气、空气、氮气、真空状态的温度。400 ℃附近为起始转变温度,低于氮气、氧气气氛的温度。因此相变区加宽。T_0-t结束温度升高,与Cu锅的抑制还原作用有密切关系。如降低高压淬火速率（<<10² ℃/s）,或随后辅以氧气氛中的后处理,将有利于获得既有高密度又有高T_c的YBa₂Cu₃O_7-δ超导体。     

Eu-Y-Ba-Cu-O系超导体的穆斯堡尔效应研究

本实验利用X射线衍射及穆斯堡尔效应分别研究了高T_c超导材料(Eu_zY_(1-z))_(0.3)Ba_(0.7)·CuO_(3-δ)(X=0.5、0.7、1.0)的结构和超精细相互作用。实验表明,该物质为单相正交结构,铕离子在晶格中处于三价态,周围为一种配位情况,~(151)Eu核处存在不对称电场。铕含最增加时,则晶胞体积增大,同质异能移位减小。在零电阻温度下,~(151)Eu核处的电子密度减小,电场不对称性增大。     

Y_1Ba_2Cu_3O_(7-δ)的氧离子缺位数,氧空穴数变化与结构相变的关系

在空气、氮气、真空(10~(-3)乇)、氧气等气氛条件下,利用高温 X 射线动态跟踪法和 TG-DTA测定了 Y_1Ba_4Cu_3O_(7-δ)的结构和氧缺位量随温度的变化,注意到不同气氛对超导体中晶格氧和吸附氧的动态平衡的影响;测得氧缺位量δ与晶体结构转变之间的关系.根据文献[11]关于Cu-O 间电子转移的结论,计算出 Cu-O_2层中 O 的平均空穴数 n_h 与结构变化的对应关系.O≤δ≤0.25,0.25≥n_h≥0.125为正交超导相的稳定区,氧的空穴浓度为(1.44—0.72)x10~(21)/cm~30.25≤δ<0.5,0.125≥n_k>0为正交、四方相的转变过渡区;0.5≤δ≤1,n_h=0为四方非超导相的稳定区.因此,除了四方非超导结构区氧负离子取2价外,其它情况氧负离子也不总是取负2价.     

二维材料WTe_2用于气体传感器的性能研究

二维过渡金属硫族化合物由于具有大的比表面积、高的载流子迁移率以及快速响应等特性,在高性能气体传感器应用方面具有显著优势.本文通过密度泛函理论计算,研究了CO,CO_2,NH_3,NO,NO_2气体分子在单层WTe_2表面的吸附构型、吸附能、电荷转移、电学及磁学特性.结果表明,N基气体分子的吸附能小于C基气体分子的吸附能,说明WTe_2对N基气体分子的吸附更敏感.电荷分析结果表明,NH_3气体分子吸附在WTe_2表面时表现为给电子体,而其他四种气体分子都表现为得电子体.能带结构方面,与CO,CO_2,NH_3气体分子相比,磁性气体分子NO和NO_2的吸附在费米能级附近引入了杂质能带,杂质能带主要来源于O原子和N原子的p轨道.此外,NO和NO_2气体分子分别诱导了0.99μB和0.80μB的磁矩.本文的研究结果为实验上制备基于WTe_2的超灵敏气体传感器提供理论指导.     

硅酸锶掺Er3+的高压合成及发光特性

 首次采用高压高温方法合成了Sr₂SiO₄:Er³⁺Bi³⁺和SrSiO₃:Er³⁺Bi³⁺发光材料，研究了合成压力、合成温度对发光特性的影响。与常压合成产物相比较，发光谱发生了红移；谱线半宽度显著增大；发光强度和量子发光效率下降。X射线衍射分析得出，SrSiO₃:Er³⁺Bi³⁺发生了结构相变，Sr₂SiO₄:Er³⁺Bi³⁺结构未变但晶格参数发生了变化，且主衍射峰强度发生了反转。分析表明，发光特性的变化是压致晶场、库仑及自旋-轨道相互作用的变化引起的。     

高温高压下翡翠宝石的人工合成

 本文通过1 350～1 550 ℃高温灼烧得到了具有翡翠成份的玻璃，在压力2.0～4.5 GPa、温度900～1 450 ℃下完成了翡翠由非晶态到晶态的转变，合成出Φ8×3 mm的翡翠。通过适量的Cr、Cu、Co等离子掺杂染色，得到了翠绿色、朱红色和蓝色的翡翠。本文还研究了压力和温度对翡翠合成的影响。     

高温高压下翡翠宝石的人工合成

翡翠(NaAlSi₂O₆)是一种具有较高硬度和较大韧性的矿物质。Loring等人从1948年开始研究翡翠的人工合成,直至1984年底美国G.E.公司才报道高温高压下合成宝石级翡翠成功,但没有详细的工艺说明。本工作仔细探索了宝石级翡翠的合成工艺,研究了压力和温度对翡翠合成的影响和不同离子的掺杂及掺杂浓度对翡翠颜色的影响。