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1978年 | 2篇 |
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1.
T′相R2CuO4稀土铜氧化合物由于尺度效应而产生弱铁磁性行为已经被人们关注,报导了通过高温高氧压(6GPa,1000℃)合成稀土T′相R2CuO4(R=Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er和Tm)化合物的结构和磁学性能。磁化率曲线显示,在低温下所有的高压增氧R2CuO4样品都出现新的低温弱铁磁性反常行为,转变温度在28K附近。新的低温弱铁磁性行为是由于CuO2面上微量氧空穴的掺入,使处于反铁磁有序CuO2面形成局域化的铁磁性团簇造成。实验证明新发现的低温弱铁磁性行为与尺度效应产生弱铁磁性行为属于完全不同的物理机制。结果还预示T′相R2CuO4稀土铜氧化合物很难通过空穴掺杂而实现超导。 相似文献
2.
4.
本工作合成了轻稀土氯化物与题目不饱和冠醚所形成的三种新的轻稀土配合物。元素分析数据说明稀土氯化物与配体的化学配比是1:1。我们着重对这些配合物进行了X射线光电子能谱研究,得到了组成原子芯能级电子(Ln 3d_(5/2),O 1s,C 1s,Cl 2p)的结合能变化信息。在LnCl_3·L和LnCl_3中观察到Ln 3d_(5/2)[Ln=Ce(Ⅲ),Pr(Ⅲ),Sm(Ⅲ)]的伴峰结构,其伴峰能前者分别为3.8和-4.2eV,后者为3.9,-4.5和-3.1eV。这是由于Cl 3p→Ln 4f电荷转移跃迁所引起的,铈属于“振起”(Shake-up)过程,镨和钐属于“振落”(Shake-down)过程。 相似文献
5.
灰色Verhulst模型的样条插值函数的残差修正 总被引:4,自引:0,他引:4
本用样条函数对灰色Verhulst模型的残差序列进行插值拟合,然后作用于二阶线性微分方程,并以此修正原模型,得到一种新的预测模型的数值解,提高了拟合的精确度。 相似文献
6.
对西安地区150例0~3岁儿童进行了六种微量元素:钙、锌、铜、铁、镁、硒的检测,发现微量元素缺乏可导致急慢性感染、免疫力低下、小儿营养不良、贫血、发育迟缓等症状。并对小儿营养不良、喂养不当进行矫正。其中铁、钙、锌同时缺乏占50%。 相似文献
7.
Investigation of External Optical Feedback Resistance of IC—DFB and GC—DFB Lasers Using a Very Simple Experimental set—up 下载免费PDF全文
We study the external optical feedback resistance of both index-coupled(IC) and gain-coupled distributed feed-back(DFB) lasers using a very simple experimental set-up.Though IC-DFB lasers with large coupling coefficients are found to be less sensitive to external reflection,they suffer from mode instability at high injection level.On the other hand ,the introduction of gain-coupling mechanism can significantly improve both the immunity of external optical feedback and the single mode yield of the device. 相似文献
8.
大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正 总被引:11,自引:1,他引:10
从光学测量角度出发,结合计算机视觉中的摄像机标定方法,解决了大视场短焦距镜头CCD摄像系统的畸变校正问题。与摄像机标定不同,畸变校正中仅标定内部参数,外部参数作为已知条件。采用线性畸变模型,由最小二乘法解线性方程组得到摄像系统畸变模型的畸变系数。介绍了数字图像中像素间距和光学中心的标定方法。通过比较由标定参数得到的畸变图像和摄像机采集的畸变图像对实验标定精度进行评定,实验结果表明边缘视场(112°)的标定精度达到了0 75%。 相似文献
9.
Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells 下载免费PDF全文
A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias. 相似文献
10.
Eu^2+:BaFCl光激励发光过程中紫外线的激发与漂白效应 总被引:1,自引:1,他引:0
通过改变紫外线的辐射照能量范围,研究了Eu^2+:BaFCl的光激励发光性质。发现紫外线能量大于Eu^2+的最低激发态能量及紫外线的能量小于Eu^2+最低激发态的能量两种情况下,光激励发光具有明显的差异,分析了产生差异的原因,给出了紫外线的辐照能量发生转时所对应的能级位置。 相似文献