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采用电子束蒸发法制备的８１ＮｉＦｅ／Ｃｒ多层膜具有单向各向异性，磁滞回线非轴对称，相当存在１Ｏｅ数量级的交换偏场。磁电阻回线的上升和下降两枝差别明显，其中以横向磁电阻回线最为显著。有的试样上升枝与下降枝相应的最大横向磁电阻率之差已高达０．７８％，其最大各向异性磁电阻率（Ｒｍａｘ－Ｒｍｉｎ）／Ｒ为４．７２％，甚高于Ｍｉｙａｚａｋｉ等[１］的优质８２ＮｉＦｅ合金单层膜的报道值３％。可以认为这类多层膜的磁电阻效应除主要来源于自旋－轨道耦合机制外，
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