弹性散射法研究间规聚苯乙烯的冷结晶行为

用弹性光散射方法研究了间规聚苯乙烯(s-PS)的非等温冷结晶行为和等温结晶动力学.结果表明,弹性散射信号对s-PS的冷结晶过程中的构象变化非常敏感.弹性散射法所得的大分子链玻璃化转变温度Tg以及冷结晶温度Tc与DSC的测量结果一致.此外,通过散射强度随温度的变化可以更为清晰地分辨出冷结晶过程中各个阶段,包括晶体成核期,晶核生长期以及二次结晶期.通过等温弹性散射测试,同时结合Arrhenius方程,计算得到s-PS冷结晶表观活化能Ea为309 kJ/mol.     

带有光控照明系统的公路隔音墙的设计与制作

 隔音墙是设置在声源与受声点之间来阻隔声音的障碍物,也称声屏障。在公路上设置隔音墙是从传播途径上控制噪声的一种有效方法。当临街的建筑物窗外1m处白天噪声声压级超过70dB,夜间超过55dB,就应采取降噪措施。最早使用隔音墙的国家是日本,起步于20世纪60年代。我国第一次启用隔音墙是在80年代末的贵黄公路上。     

研发产出随机下基于CVaR的供应链纵向R&D合作模型

企业的研发活动具有高度风险性和不确定性,研发最终输出结果很难预料.在假设研发产出随机的基础上,构建了由1个风险厌恶的上游企业和n个风险中性的下游企业组成的供应链纵向研发合作模型,上下游企业采用固定比率分担法分摊研发费用,利用条件风险估值CVaR理论,研究了上游企业的风险规避度和RJV规模对企业利润、消费者剩余和社会福利的影响.研究结果表明,当上游企业的风险规避度增大时,上游企业的目标函数值、下游成员企业的利润以及消费者剩余、社会福利都会随之增大.上游企业的目标函数值随着RJV规模的增大而增大,而下游成员企业利润和社会福利先是随着RJV规模的增大而增大而后则随着RJV规模的增大而减小.     

P(NIPAM-co-NVP)共聚物分子链水溶液中的可逆聚集研究

用溶液聚合方法合成了线型聚(N-异丙基丙烯酰胺-co-N-乙烯基吡咯烷酮)共聚物,通过弹性光散射(elastic light scattering,ELS)、荧光光谱与动态光散射研究了共聚物水溶液分子链可逆聚集的温度和时间依赖性.研究表明,升温时,ELS强度增加,分子链聚集;降温时,ELS强度降低,聚集的分子链解离.荧...     

势垒可调的氧化镓肖特基二极管

氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n~+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×10¹⁸ cm^-3时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88 A/cm~2、反向击穿电压为182.30 V、导通电阻为0.27 mΩ·cm~2,品质因子可达123.09 MW/cm~2.进一步研究发现肖特基二极管的性能与n~+外延层厚度和浓度有关,其电流密度随n~+外延层的厚度和浓度的增大而增大.分析表明,n~+外延层对势垒的调控在于镜像力、串联电阻及隧穿效应综合影响,其中镜像力和串联电阻对势垒的降低作用较小,而高电场下隧穿效应变得十分显著,使得热发射电流增大的同时,隧穿电流得到大幅度提升,从而进一步提升了氧化镓肖特基二极管的性能.     

原子荧光光谱法测定中药材中砷

试样用硝酸加压消解(测总砷),或用盐酸(1+1)溶液在60℃浸取(测无机砷)。以硫脲溶液作为预还原剂,以硼氢化钾溶液作为还原剂,利用原子荧光光谱法测定中药材中砷的含量。分析中采用载气及屏蔽气的流量依次为400mL·min-1及900mL·min-1。砷(Ⅲ)的荧光强度与其质量浓度在80.0μg·L-1以内呈线性关系,方法的检出限(3s/k)为31ng·L-1。应用此法对中药材样品进行分析,样品中总砷测定值在139～372ng·g-1之间,加标回收率在89.0%～93.3%之间;无机砷测定值在41～103ng·g-1之间,加标回收率在86.0%～92.0%之间。     

阻变存储器复合材料界面及电极性质研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理对比研究了Cu（111）/HfO₂（001）,Cu（111）/HfO₂（010）,Cu（111）/HfO₂（100）三种复合材料界面模型的失配率、界面束缚能、电荷密度、电子局域函数以及差分电荷密度. 计算结果表明：Cu（111）/HfO₂（010）失配率最小,界面束缚能最大,界面体系相对最稳定;对比电荷密度及电子局域函数图显示,只有HfO₂（010）方向形成的复合材料体系出现了垂直Cu电极方向完整连通的电子通道,表明电子在此方向上具有局域性、连通性,与阻变存储器（RRAM）器件导通方向一致;差分电荷密度图显示,Cu（111）/HfO₂（010）复合材料体系界面处存在电荷密度分布重叠的现象,界面处有电子的相互转移、成键的存在;进一步计算了Cu（111）/HfO₂（010）体系距离界面不同位置的间隙Cu原子形成能,表明越靠近界面Cu原子越容易进入HfO₂ 体内,在外加电压下易发生电化学反应,从而导致Cu导电细丝的形成与断裂. 研究结果可为RRAM存储器的制备及性能的提高提供理论指导和设计工具. 关键词： 阻变存储器 复合材料 界面 电子通道     

荧光光谱法检测中药茯苓中的异丙威

利用分子荧光光谱,对异丙威溶液用三维荧光方法进行检测,建立了用异丙威的256nm/290nm荧光峰进行检测的实验方法。结果表明,该方法在高浓度和低浓度都具有较好的稳定性,在9.75×10-3—4.875×10-2mg/mL范围内线性相关系数为0.9970;在1.95×10-5—1.95×10-4mg/mL范围内线性相关系数为0.9955;且具有重现性好,检出限低,方法快速等优点。     

一个三级物流系统的运送策略优化问题

主要考虑一个三级物流系统的运送策略优化问题,系统由多个供货商、多个客户和一个中央仓库组成.假定两级库存均采用周期补货策略,每个客户处的产品需求为确定性需求.假设给定一套可行频率的情况下,选择使整个系统总的长期平均成本最小化的仓库的补货策略和仓库到各客户的配送策略.根据两个支配性质构造了一个列举优化算法,计算试验讨论了该算法的有效性.     

电荷俘获存储器的过擦现象

基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法和VASP软件对电荷俘获存储器过擦现象进行了分析研究.通过形成能的计算,确定了含有氮空位缺陷的Si3N4和含有间隙氧缺陷的Hf O2作为研究的对象;俘获能的计算结果表明两种体系对电子的俘获能力比对空穴的大,因而对两体系擦写载流子确定为电子.分别计算了Hf O2和Si3N4擦写前后的能量、擦写前后电荷分布变化、吸附能和态密度,以说明过擦的微观机理.对能量和擦写电荷变化的研究,表明Si3N4相比于Hf O2,其可靠性较差,且Si3N4作为俘获层,在一个擦写周期后,晶胞中电子出现减少现象;界面吸附能的研究表明,Si3N4相比于Hf O2在缺陷处更容易与氧进行电子交换;最后,通过对态密度的分析表明Si3N4和Hf O2在对应的缺陷中均有缺陷能级俘获电子,前者为浅能级俘获,后者为深能级俘获.综上分析表明,Si3N4在氮空位的作用下,缺陷附近原子对电子的局域作用变弱,使得Si3N4作为俘获层时,材料本身的电子被擦出,使得擦操作时的平带偏移电压增大,导致存储器发生过擦.本文的研究结果揭示了过擦的本质,对提高电荷俘获存储器的可靠性以及存储特性有着重要的指导意义.