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2022年 | 3篇 |
2021年 | 3篇 |
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1996年 | 1篇 |
1995年 | 2篇 |
1988年 | 1篇 |
1985年 | 2篇 |
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1.
2.
主要介绍了深圳市妇幼保健院在国内率先推出的产后家庭保健服务项目,总结了为2 800对母婴上门提供保健服务的临床意义和社会效益. 相似文献
3.
4.
5.
In the digital low level RF (LLRF) system of a circular (particle) accelerator, the RF field signal is usually down converted to a fixed intermediate frequency (IF). The ratio of IF and sampling frequency determines the processing required, and differs in various LLRF systems. It is generally desirable to design a universally compatible architecture for different IFs with no change to the sampling frequency and algorithm. A new RF detection method based on a double heterodyne architecture for wide IF range has been developed, which achieves the high accuracy requirement of modern LLRF. In this paper, the relation of IF and phase error is systematically analyzed for the first time and verified by experiments. The effects of temperature drift for 16 h IF detection are inhibited by the amplitude and phase calibrations. 相似文献
7.
Ordered InAs Quantum Dots with Controllable Periods Grown on Stripe-Patterned GaAs Substrates 下载免费PDF全文
GaAs (001) substrates are patterned by electron beam lithography and wet chemical etching to control the nucleation of lnAs quantum dots (QDs). InAs dots are grown on the stripe-patterned substrates by solid source molecular beam epitaxy. A thick buffer layer is deposited on the strip pattern before the deposition of InAs. To enhance the surface diffusion length of the In atoms, InAs is deposited with low growth rate and low As pressure. The AFM images show that distinct one-dimensionally ordered InAs QDs with homogeneous size distribution are created, and the QDs preferentiMly nucleate along the trench. With the increasing amount of deposited InAs and the spacing of the trenches, a number of QDs are formed beside the trenches. The distribution of additional QDs is long-range ordered, always along the trenchs rather than across the spacing regions. 相似文献
8.
采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分 ,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致 发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的 研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普 通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaA s量子点的限制作用,同时切断了载流子的
关键词:
InGaAs量子点
InAlAs浸润层
PL谱 相似文献
9.
设X_n={1,2,…,n}并赋予自然数序,MCK_n是X_n上核具有连续横截面保序或反序变换所构成的半群.K_n是MCK_n的最大正则子半群.本文将考虑K_n的理想K(n,r)={α∈K_n:|im(α)|≤r}(3≤r≤n-1).证明了K(n,r)的秩为(n-r+1)(n-r+2)(n-r+3)/6. 相似文献
10.