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Si(Li)谱仪测定X射线荧光谱中CrKβ谱线化学位移的探索 总被引:1,自引:0,他引:1
采用放射源^241Am59.6keVγ射线分别激发金属Cr、Cr2O3和K2CrO4,用Si(Li)谱仪比较测量其Kx射线的能量。实验表明K2CrO4和CrKβ能峰相对于金属Cr有2.12±0.27eV的位移。 相似文献
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提出LIGA-EDM复合技术技术,即采用LIGA技术制备工具电极的微细电火花加工技术,通过同步辐射尝试光刻得到的胶结构厚度达2mm深宽比约为100,使用电铸技术得到厚度达1mm的铜工县电极,利用该电极进行微细电火花加工实验,在不锈钢上加工出异形小孔阵列. 相似文献
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大结构深度和高深宽比是同步辐射深度光刻的突出优点。提出采用现有掩模,进行多次曝光、显影的方法,实验获得厚2.2mm的胶结构。系列研究掩模、光刻胶、基底、光谱和光强对深宽比的影响,实验获得深宽比104的胶结构。 相似文献
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高能硫、氪、氙离子轰击聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化。用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一化径迹蚀刻速率(灵敏度)的影响,结果表明优化条件下灵敏度较通用条件下提高约2倍,PET的灵敏度可达1000,PC的灵敏度可达2000,可以用于制备纳米孔径核孔膜。核孔膜中填充的铜纳米线的电镜照片显示出纳米线最小直径为20nm。用电导法计算纳米孔的孔径,该值与纳米线直径的电镜测量值在孔径大于30nm时符合良好。 相似文献
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采用放射源241Am59.6keVγ射线分别激发金属Cr、Cr2O3和K2CrO4,用Si(Li)谱仪比较测量其Kx射线的能量。实验表明K2CrO4中CrKβ能峰相对于金属Cr有2.12±0.27eV的位移。 相似文献
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高能硫、氪、氙离子轰击聚酯(PET)和聚碳酸酯(PC)膜后,对样品进行陈化和紫外线照射敏化.用电导法着重研究蚀刻条件对样品的归一亿径迹蚀刻速率(灵敏度)的影响,结果表明优化条件下灵敏度较通用条件下提高约2倍,PET的灵敏度可达1000,PC的灵敏度可达2000,可以用于制备纳米孔径核孔膜.核孔膜中填充的铜纳米线的电镜照片显示出纳米线最小直径为20nm.用电导法计算纳米孔的孔径,该值与纳米线直径的电镜测量值在孔径大于30nm时符合良好. 相似文献