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用导纳谱技术研究了两类Si基量子阱样品基态子能级的性质.基于量子阱中载流子的热激发模型,从导纳谱中得到的激发能值被认为是阱中重空穴基态位置到阱顶的距离.对于SiGe合金和Si形成的组分量子阱,主要研究了退火对重空穴基态子能级的影响.发现样品的退火温度为800℃时,随退火时间延长,激发能增加.对此现象的解释是,由于Si,Ge互扩散,导致界面展宽,量子限制效应降低,重空穴基态位置下降,从而激发能增加.900℃下退火,由于扩散系数增大和应变弛豫加强,激发能值单调下降,量子限制效应引起的变化被掩盖.对于B高浓度超
关键词: 相似文献
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用直流平面磁控溅射沉积薄膜的方法在Si和玻璃基片上制备了Ta2O5/TiO2混合薄膜,薄膜的透射光谱研究结果表明,在TiO2掺入浓度为0到17%,薄膜的折射率从2.08到2.23。薄膜折射率与掺入TiO2的浓度呈近线性关系。薄膜的MOS电容器的I-V和C-V测量表明,经过退火处理能够提高Ta2O5/TiO2混合薄膜的介电常数。 相似文献
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自组织生长锗量子点的库仑荷电效应 总被引:1,自引:0,他引:1
将导纳谱应用于半导体GeSi量子点的研究,观察到了典型直径为13nm的Ge量子点的库仑荷电效应及其分立能级结构. 相似文献
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