溅射相关的Pb97.4Sn2.6合金表面现象研究

本文对Pb_97.4Sn_2.6合金表面在溅射时所产生的一些现象进行了研究。实验在室温下,利用PHI-590型扫描俄歇微探针进行。根据理论计算结果对实验数据进行分析后,观察到了溅射增强扩散效应。当Ar⁺离子能量为5千电子伏,离子流密度为70微安/厘米²时,测得锡在合金中的扩散系数为10^-15厘米²/秒量级,影响层厚度约为200埃。 关键词：     

溅射相关的Pb_(97.4)Sn_(2.6)合金表面现象研究

本文对Pb_(97.4)Sn_(2.6)合金表面在溅射时所产生的一些现象进行了研究。实验在室温下,利用PHI-590型扫描俄歇微探针进行。根据理论计算结果对实验数据进行分析后,观察到了溅射增强扩散效应。当Ar~ 离子能量为5千电子伏,离子流密度为70微安/厘米~2时,测得锡在合金中的扩散系数为10~(-15)厘米~2/秒量级,影响层厚度约为200埃。     

Ta2O5/Ta界面分析的新模型

对Ta₂O₅/Ta样品界面区的深度剖面曲线进行了研究。基于离子溅射引起影响层存在的考虑,提出一种解释该曲线的新模型。通过此模型能很好地拟合实验曲线,并反映了溅射过程中的离子混合效应、原子堆积效应及相应的特征参数。样品由阳极氧化法制得,其厚度为500埃。表面分析在PHI-590型扫描俄歇微探针上完成,所有测量均在室温下进行。研究表明:深度剖面曲线并不符合误差函数分布;影响层的厚度为30—50埃,它是进行深度剖面分析时,决定元素俄歇信号强度的第一位重要因素;深度剖面 关键词：     

多晶硼和含硼金属玻璃的表面广延能量损失精细结构研究

本文用反射型芯能级电子能量损失谱的广延部分,即所谓广延能量损失精细结构,研究了硼原子在多晶硼、非晶Fe₈₀B₂₀和Fe_78.5Si₅B_16.5样品表面的行为和这些样品表面的微观结构。测得的谱显示的振荡结构在硼k壳层吸收边以上延续约300电子伏。利用我们实验室发展的计算程序,对所测得的广延能量损失精细结构(SEELFS)谱进行数据分析,得到了被测样品受激原子附近的径向分布函数(RDF);经相移修正后 关键词：     

3d 金属电离损失谱研究

本文利用俄歇电子谱仪对Ti,Cr,Ni,Cu等3d金属的电离损失谱作研究,得到它们的空态密度的一些性质:空态密度的最大值位置、空态密度最大值的相对数值和空态密度的宽度。所得结果与理论模型一致。另外,从电离损失谱获得的束缚能值和自旋-轨道分裂值与用XPS所获结果符合良好。电离损失谱是一种研究空态密度的有效方法。 关键词：     

俄歇定量分析中确定背散射因子的一种新方法

背散射因子是俄歇定量分析中要考虑的主要因素。本文提出一种利用微分前俄歇谱N(E)背景求得背散射因子的新方法。由于使背散射因子的计算与能谱相结合,这种方法不但可以避免Monte Carlo的冗长计算,还能进一步提高定量分析的精度。文中列举了用该方法对Au-Cu和Ag-Cu两种合金的定量分析结果,并与Monte Carlo和相对灵敏度因子方法的结果进行了比较。 关键词：