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以4-乙酰基丙烯酰乙酸乙酯(AAEA)、2-丙烯酰胺基-2-甲基-1-丙磺酸(AMPS)为单体,不同分子量的聚乙二醇(PEG)为成孔剂,通过自由基溶液聚合法,合成了新型多孔快速响应电场敏感性水凝胶.结果表明,成孔剂PEG被洗脱后在凝胶内部形成了互相贯穿的孔洞结构,孔径在30~120μm之间.以PEG6000为成孔剂致孔后的多孔凝胶溶胀速率和消溶胀速率最快,在去离子水中30s达到溶胀平衡,在0.1mol/L的NaCl溶液中40min达到消溶胀平衡;电场作用下凝胶的消溶胀速度大大加快,12min内即可达到平衡.凝胶中AMPS含量的增多会加快凝胶在电场中的响应速度;而高温下,随着AAEA含量的增加,凝胶内部疏水基团增多并收缩产生大量的疏水微区,限制了凝胶内部水分的持续排出,因此n(AAEA)∶n(AMPS)=3∶1的凝胶4min内即可排出表面水分达到消溶胀平衡,可保水率却高达75%.同时,增大电解液的pH值、浓度以及提高电解电压,均会加快凝胶的消溶胀行为. 相似文献
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A surface crystallization phenomenon on bonding pads and wires of integrated circuit
chip is reported in this paper. Through a lot of experiments, an unknown failure
effect caused by mixed crystalline matter is revealed, whereas non-plasma fluorine
contamination cannot cause the failure of bonding pads. By experiments combined with
infrared spectroscopy analysis, the surface crystallization effect is studied. The
conclusion of the study can provide the guidance for IC fabrication, modelling and
analysis. 相似文献
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非水介质毛细管电泳电导法检测盐酸胺碘酮 总被引:3,自引:0,他引:3
采用非水介质毛细管电泳电导检测法对盐酸胺碘酮进行检测。探讨了缓冲溶液的种类、pH和浓度、分离电压、进样时间、进样高度等因素对检测效果的影响,建立了测定盐酸胺碘酮的新方法。用乙醇作为非水介质,在30mmol L三羟甲基氨基甲烷 15mmol L柠檬酸(pH6.90)运行缓冲溶液中,盐酸胺碘酮在5~200mg L范围内的线性回归方程为y=74.94x-7.83,r=0 999。检出限(S N=3)为0.5mg L,样品回收率为98.9%。适用于含盐酸胺碘酮的药剂的分析。 相似文献
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建立了中成药镉残留量的浊点萃取-石墨炉原子吸收光谱法。样品先经消解,再以非离子表面活性剂浊点萃取富集消解液中的镉,石墨炉原子吸收光谱法测定镉含量。本方法检出限可达0.008ng/mL;加标回收率94.0%—108.5%;线性范围为0—10ng/mL(r=0.9995)。结果表明,采用浊点萃取可提高石墨炉原子吸收光谱法测镉的灵敏度、准确性、重复性和抗干扰能力。 相似文献
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针对应用于混沌时间序列预测的正则极端学习机(RELM)网络结构设计问题,提出一种基于Cholesky分解的增量式RELM训练算法.该算法通过逐次增加隐层神经元的方式自动确定最佳的RELM网络结构,并以Cholesky分解方式计算其输出权值,有效减小了隐层神经元递增过程的计算代价.混沌时间序列预测实例表明,该算法可有效实现最佳RELM网络结构的自动确定,且计算效率高.利用该算法训练后的RELM预测模型具有预测精度高的优点,适用于混沌时间序列预测.
关键词:
神经网络
极端学习机
混沌时间序列
时间序列预测 相似文献
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针对训练样本贯序输入时的极端学习机 (ELM)训练问题,提出一种具有选择与遗忘机制的极端学习机 (SF-ELM),并研究了其在混沌时间序列预测中的应用. SF-ELM以逐次增加新训练样本的方式实现在线训练,通过引入遗忘因子以减弱旧训练样本的影响,同时以泛化能力为判断依据,对其输出权值进行选择性递推更新. 混沌时间序列在线预测实例表明,SF-ELM是一种有效的ELM在线训练模式. 相比于在线贯序极端学习机,SF-ELM具有更快的在线训练速度和更高的在线预测精度,因此更适于混沌时间序列在线预测.
关键词:
混沌时间序列
时间序列预测
神经网络
极端学习机 相似文献
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基于密度泛函理论的第一性原理计算方法, 系统研究了硅烯、锗烯在GaAs(111) 表面的几何及电子结构. 研究发现, 硅烯、锗烯均可在As-中断和Ga-中断的GaAs(111) 表面稳定存在, 并呈现蜂窝状六角几何构型. 形成能计算结果证明了其实验制备的可行性. 同时发现硅烯、锗烯与GaAs表面存在共价键作用, 这破坏了其Dirac电子性质. 进一步探索了利用氢插层恢复硅烯、锗烯Dirac电子性质的方法. 发现该方法可使As-中断面上硅烯、锗烯的Dirac电子性质得到很好恢复, 而在Ga-中断面上的效果不够理想. 此外, 基于原子轨道成键和杂化理论揭示了GaAs表面硅烯、锗烯能带变化的物理机理. 研究结果为硅烯、锗烯在半导体基底上的制备及应用奠定了理论基础. 相似文献