二维无序电子系统的金属—绝缘体转变

二维无序电子系统的金属绝缘体转变二维体系中的金属－绝缘体转变一直是人们十分感兴趣的问题．７０年代初，基于Ｉｏｆｅ和Ｒｅｇｅｌ关于金属中电子平均自由程的下限为原子间距的想法，Ｍｏｔ提出在二维体系中这种转变不仅存在，而且是不连续的，存在一最低金属电导率，...     

铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性

在 4.2到 2 5K范围内测量了 2 0纳米稀掺杂铜铌超薄膜 (Cu99Nb1 ,Cu95 Nb5 )的电阻及磁导随温度的变化 ,没有观察到超导的迹象 ,而且样品的磁导都表现出典型的弱局域性质 .通过与理论的拟合 ,得到描述弹性散射 ,非弹性散射 ,自旋 轨道散射和磁散射的特征磁场和特征迟豫时间 .Cu95 Nb5 的各种特征迟豫时间均比Cu99Nb1 的小 .铌的加入不仅很大地影响了杂质引起的电子 电子散射 ,同时也是导致样品的弹性散射时间与自旋 轨道散射时间之比τ0 /τso偏离Abrikosov Gorkov关系的主要原因     

Design of a backlight module with a freeform surface by applying the Taguchi method

A novel structure, called a "freeform surface," is integrated into a direct type light-emitting diode backlight. By applying the Taguchi method, the performance of this backlight is optimized. The Taguchi experiments are configured in L9e34 T orthogonal arrays and are simulated via Light Tool analysis software. After that, the influence of the design parameters on the luminance and uniformity are separately evaluated by analysis of variance(ANOVA). Next, the parameters are optimized, and a new backlight structure with desirable performance is designed at last. Light Tool simulation shows that this new type of backlight is just 15 mm thick and has 310.3nits luminance and 83.5% uniformity.     

基于PWM的三基色LED的调光调色方法

提出了一种基于脉冲宽度调制(PWM)的三基色发光二极管(LED)调光调色计算模型,建立了混合光的色品坐标与占空比、相关色温与占空比、最大光通量与色品坐标的函数关系。采用红绿蓝(RGB)三基色LED进行实验验证,实验结果表明:计算模型能较好的指导LED光色调节,混合光色品坐标的理论值和测量值之间的误差小于2.5%,模拟太阳光的色温变化误差仅为50 K。该计算模型可应用于各种三通道LED的调光调色,其高精度的优点能更精确地实现智能照明,极具实用价值。