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2013年
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共有1条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1
1.
沟道层厚度对室温制备的In
2
O
3
薄膜晶体管器件性能的影响
焦洋
张新安
翟俊霞
喻先坤
丁玲红
张伟风
《发光学报》
2013,34(3):324-328
在室温下采用直流磁控溅射以SiO
2
/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In
2
O
3
薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In
2
O
3
薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In
2
O
3
薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为10
6
,场效应迁移率为6.2 cm
2
·V
-1
·s
-1
。
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