静电堵漏串级镜MM—4U贩约束位形的理论研究

本文分析了双会切静电堵漏串级磁镜ＭＭ－４Ｕ中粒子损失的可能机制，考虑了 等离子体粒子能量的切断，从平衡的Ｖｌａｓｏｖ方程的解出发，数值求解了一组静态的达朗倍尔方程，即Ｐｏｉｓｓｏｎ方程和Ｍａｘｗｅｌｌ方程，得到了等离子体电位，密度及非中性度（净余电子数密度）分布。结果表明，堵漏电压及堵漏电极板的几何位形，磁场位形及磁场大小，电子温度电子－离子温度比在串级磁镜的束位形的形成中起着重要的作用。     

FEB-E动态气靶偏滤器的研究

在ＦＥＢ－Ｅ设计阶段,偏波器从开放式固定板靶优化为封闭式气体靶,以改善偏滤器的杂质控制和增加离子与气体的相互作用,通过喷气和注入杂质获得的部分脱靶等离子体形成了动态气体靶,喷气能降低删削层（ＳＯＬ）处等离子体温度,沪入的杂质增加了ＳＯＬ处的辐射功率,使靶板的负载降低,用ＮＥＷＴ１Ｄ编码模拟了ＳＯＬ处等离子体和杂质（硼杂质）的输运,得到了杂质、等离本温度和等离了体密度分布。着眼于杂质的滞留物辐射,优     

腐蚀和沉积对偏滤器靶板寿命的影响

讨论了偏滤器铍靶在聚变堆工况下的腐蚀问题，被物理溅射和辐射增强升华等过程腐蚀了的铍原子经电离后，部分将沉积到铍靶上，分析计算的结果表明，铍靶材被腐蚀后的自沉积将大大降低铍靶的净腐蚀率，在此基础，研究了一定浓度的硼杂质的沉积对铍靶的腐蚀率的影响，结果发现，铍靶前很低浓度的硼杂质即可大大降低了铍靶的腐蚀率，并且铍靶的腐蚀率随硼杂质浓度的增加而减少，这对聚变堆的稳态运行是有利的。     

MM-4U中等离子体约束位形和不稳定性的实验研究

给出了MM-4u中等离子体约束位形和不稳定性的实验结果。测得的等离子体电位轴向分布表明,该装置中能够建立起负电位轴对称串级镜约束位形;测得的密度分布与电位分布有相似形式。初步探索了等离子体参数与工程参数的关系。实验还发现在低密度情况下存在低频振荡。通过对振荡信号进行线性相关分析,根据扰动的振荡和传播特性,推断出这种振荡为离子声不稳性。不稳定性产生的可能机制是由于电子束穿过低密度本底等离子体的漂移速度超过离子声速而激发起来的。 关键词：     

静电堵漏串级镜MM－4U的约束位形的理论研究

本文分析了双会切静电堵漏串级磁镜ＭＭ－４Ｕ中粒子损失的可能机制，考虑了等离子体粒子能量的切断，从平衡的Ｖｌａｓｏｖ方程的解出发，数值求解了一组静态的达朗倍尔方程，即Ｐｏｉｓｓｏｎ方程和Ｍａｘｗｅｌｌ方程，得到了等离子体电位、密度及非中性度（净余电子数密度）分布。结果表明，堵漏电压及堵漏电极极板的几何位形、磁场位形及磁场大小、电子温度及电子－离子温度比在串级磁镜的约束位形的形成中起着重要的作用。     

Fe3+/Ba2+/Co2+/Zn2+/Cu2+在NH4HCO3-NH3·H2O和NaOH-Na2CO3体系中的热力学分析

通过对Fe3+/Ba2+/Co2+/Zn2+/Cu2+在NH4HCO3-NH3·H2O和NaOH-Na2CO3体系中的热力学分析,得到各金属离子总浓度(cMe)与pH值的关系,确定了2种体系中5种离子完全共沉淀的pH值范围.结果表明:在NH4HCO3-NH3·H2O体系中,Co2+、Zn2+、Cu2+3种离子和氨的配位能力很强,其中Cu2+与氨的配位能力最强,在相同的pH值条件下,Cu2+沉淀困难,5种金属离子的完全共沉淀区域由Cu2+决定.在NaOH-Na2CO3体系中,随总碳浓度(cc)的增加,Ba、Co、Zn、Cu的溶解度都随之减小,当cc=1.0 mol·L-1时,各金属离子完全共沉淀的pH值范围为7.5～11.在两种体系中,Fe的溶解度都是随pH值的增大而减小,最终达到平衡.以NaOH-Na2CO3 为沉淀剂.在pH=10.0的条件下,采用化学共沉淀法合成出了晶粒细小、粒度均匀的Y型纯相结构的平面六角铁氧体微粉.     

驻波驱动的等离子体电子相对论随机加速

就电子在等离子体中被驻波随机加速的可能性和条件进行了分析和数值计算.分析结果表明:等离子体中的电子在驻波场中的两个共振区的叠加导致电子的随机行为的产生.并估算了随机加速的阈值.数值计算了电子的随机加速的能量和随机加速的阈值.采用Poincare截面图技术,跟踪了电子的随机运动的轨迹. 关键词：     

共沉淀法合成Zn掺杂Co2-Y平面六角铁氧体粉的热力学分析

通过对 Me(Ba2+,Zn2+,Co2+,Fe3+)-CO32--NH3H2O体系进行热力学分析,得到不同的总碳浓度(cc)和总氮浓度(cN)时各金属离子总浓度(e,t曲与pH值关系,由此确定4种金属离子共沉淀完全的pH值范围.热力学分析表明:以Na2CO3和NH3·HzO作沉淀剂,用共沉淀法合成Zn掺杂Co2-Y平面六角铁氧体粉时,体系pH值由Ba2+和Zn2+沉淀完全的酸度条件决定,而两者取决于cc和cN的相对关系;当Cc＞1.000 mol·L-1、cN＜0.100 mol·L-1时,控制pH值在8～12范围内,即町确保共沉淀完全.